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四电极电化学MEMS加速度传感器：设计创新与精密制作工艺研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，微机电系统（MEMS）技术已成为众多领域创新的关键驱动力。MEMS加速度传感器作为MEMS技术的重要应用之一，凭借其体积小、重量轻、成本低、功耗低、灵敏度高和集成度高等一系列显著优点，在电子产品、汽车工业、航空航天、医疗保健、工业控制等军民领域得到了极为广泛的应用。在消费电子领域，如智能手机中，加速度传感器用于实现屏幕自动旋转、运动检测、计步等功能，为用户带来了更加便捷和智能的体验；在汽车行业，它被应用于防抱死制动系统（ABS）、安全气囊触发装置以及车辆导航和自动驾驶系统，极大地提高了汽车的安全性和智能化水平；在航空航天领域，加速度传感器是惯性导航系统的核心部件，对于飞行器的精确导航和姿态控制起着不可或缺的作用。

在众多类型的MEMS加速度传感器中，四电极电化学MEMS加速度传感器以其独特的工作原理和显著的性能优势脱颖而出。与传统的加速度传感器相比，四电极电化学MEMS加速度传感器采用以碘-碘化钾电解液为主的液体质量块代替传统的质量块，其核心是由两对阴阳极及流道组成的敏感电极核心。这种独特的结构设计使其具有诸多优势：首先，以与弹性膜耦合的电解液作为惯性质量，无需进行复杂的位置和中心调整，且工作倾角大，能够在更广泛的环境条件下稳定工作；其次，内部没有精密机械部件和运动机械零件，从根本上保证了传感器具有操作简单、抗冲击等优点，大大提高了传感器的可靠性和耐用性；此外，当活性离子在低频地震振动下在流动通道中移动时，它们有足够的时间扩散到电极表面，从而产生良好的响应，使其在低频测量领域表现出色。然而，目前四电极电化学MEMS加速度传感器在制作工艺和性能优化方面仍面临一些挑战，如制作工艺复杂、成本较高、灵敏度和稳定性有待进一步提高等。因此，深入研究四电极电化学MEMS加速度传感器的设计与制作工艺，对于推动其在更多领域的广泛应用，提高相关系统的性能和可靠性具有重要的理论意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国外对MEMS加速度传感器的研究起步较早，技术相对成熟。早在20世纪70年代左右，人们就开始研究微加速度传感器，80年代电容式微加速度传感器出现，90年代压电式微加速度传感器设计成功。目前，国外在MEMS加速度传感器的设计、制作工艺和应用研究方面取得了丰硕的成果。一些国际知名企业，如博世（Bosch）、意法半导体（STMicroelectronics）、德州仪器（TexasInstruments）等，在MEMS加速度传感器市场占据重要地位，其产品广泛应用于汽车、消费电子、航空航天等领域。在四电极电化学MEMS加速度传感器方面，国外也开展了大量的研究工作。例如，有研究采用在硅基底上沉积铂电极及氮化硅绝缘层，再采用聚焦离子束技术刻蚀通孔作为流道孔的方法制作传感器，但该方案由于采用FIB技术加工垂直流道，一次只能加工一个流道孔，效率低，不适于大规模生产，且电解液和电极的接触面积很小，导致灵敏度较低，不适宜实际应用。还有研究通过在硅片两侧先制作图形化的铂电极结构作为阴极，刻蚀流道孔后，再沉积SU-8薄膜作绝缘层，再沉积铂电极作为阳极以实现集成，但此方案同样存在电解液与电极接触面积小的问题，且成品率极低，可重复性差。

国内对MEMS加速度传感器的研究虽然起步较晚，但近年来发展迅速。国内众多高校和科研机构，如清华大学、北京大学、上海交通大学、中国科学院微电子研究所等，在MEMS加速度传感器的研究方面取得了一系列重要成果。一些国内企业也开始涉足MEMS加速度传感器领域，逐渐在市场中崭露头角。在四电极电化学MEMS加速度传感器的研究方面，国内也取得了一定的进展。有研究提出了一种将一对阴阳极集成在一片衬底上，刻蚀流孔形成流道，再将两片敏感电极以及橡胶圈组合安装形成四电极敏感核心的方案，该方案利用了流孔侧壁，增加了阴极面积，提升了输出灵敏度，但集成度较低，相较于单片集成结构流阻较大，且需要人工对准安装，影响器件的一致性。还有研究在硅片两侧分别制作图形化的平面电极阴阳极对，再刻蚀流孔进行联通，此方案可重复性好，但由于流道内壁没有阴极面积，且大多数处在芯片中间的阴极难以利用，导致灵敏度低且低频性能极差。

综合国内外研究现状，目前四电极电化学MEMS加速度传感器在制作工艺上仍存在一些问题，如工艺复杂、成本高、一致性差、灵敏度和稳定性有待提高等。在应用研究方面，虽然在一些领域已经取得了一定的应用成果，但在某些对传感器性能要求较高的领域，如高端航空航天、精密工业测量等，还需要进一步提高传感器的性能以满足实际需求。因此，本研究旨在针对