光探测器芯片，全球前20强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdfVIP

全球市场研究报告

光探测器芯片，行业内广泛称为光电二极管，主要类型有PN二极管探测器芯片（PIN）、雪崩二极管探测

器芯片（APD）、硅光电倍增管芯片（SiPM）和单光子雪崩二极管芯片（SPAD）。其中PN二极管探测器芯

片，主要采用PIN结构（P型、I型、N型半导体层）将入射光信号转换为电信号。其核心由P型半导体、

固有层（IntrinsicLayer）和N型半导体组成。当光子进入芯片并被吸收时，会在固有层中产生电子-空穴对，

在外加电场作用下，这些载流子被加速分离，形成电流。主要优势是结构简单，线性度好，噪声低。

雪崩光电二极管（APD）能够在弱光条件下检测光信号。其工作原理基于雪崩倍增效应：当入射光子在半导

体的耗尽区产生电子-空穴对时，施加的高反向偏压使这些载流子在强电场中加速，碰撞产生更多的电子-空

穴对，形成雪崩放大效应，从而实现对微弱光信号的有效探测。主要优点在于，灵敏度高于PIN二极管，能

够检测更弱的光信号。

硅光电倍增管（SiPM），是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器，由多个微小的雪崩光电二极管（APD）

单元组成，每个单元在“盖革模式”下工作。当光子入射时，这些单元会产生雪崩放大效应，实现对微弱光

信号的高灵敏度探测。其主要优势在于其高增益特性、快速响应以及低工作电压等。

单光子雪崩二极管（SPAD），则能够在极低光照条件下检测单个光子。SPAD在工作时，当一个光子被探测

器吸收后，能够触发雪崩效应，产生可检测的电信号。SPAD同时具有极快的响应速度和极高的灵敏度等特

性，成为弱光探测和高速成像研究领域的热点技术。优势在于能实现单光子级别的探测，同时具有极高的

时间分辨率。

根据QYResearch最新调研报告显示，预计2030年全球光探测器芯片市场规模将达到25.44亿美元，未来

几年年复合增长率CAGR为6.3%。

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图.光探测器芯片，全球市场总体规模

来源：QYResearch研究中心

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图.全球光探测器芯片市场前20强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数据以

本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

全球范围内，光探测器芯片主要生产商包括：光森电子、芯思杰、Hamamatsu、三安集成、ams-OSRAM等，

其中前五大厂商占有大约46.5%的市场份额。

目前，全球核心厂商主要分布在亚太，北美。

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图.光探测器芯片，全球市场规模，按产品类型细分，APD芯片处于主导地位

来源：QYResearch研究中心

就产品类型而言，目前APD芯片是最主要的细分产品，占据大约52%的份额。

图.光探测器芯片，全球市场规模，按应用细分，光通信与网络是最大的下游市场，占有xx份额。

来源：QYResearch研究中心

就产品类型而言，目前光通信和网络是最主要的需求来源，占据大约72.4%的份额。

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图.全球主要市场光探测器芯片规模

来源：QYResearch研究中心

光探测器芯片未来发展趋势

1.宽波段响应与多光谱融合

1)宽波段响应与多光谱融合的技术趋势

未来光探测器芯片将持续朝着宽波段响应和多光谱融合的方向发展，旨在覆盖更广泛的光谱范围，满足不

同应用需求。这一趋势的核心是通过材料创新（如使用InGaAs、Ge、HgCdTe等多种半导体材料）、多层

结构设计以及量子点技术的应用，使得探测器能够在可见光、近红外、长波红外等多个波段同时工作，拓展

其探测能力。通过优化探测器内部的光学结构和增益机制，芯片能够在不同的光谱波段内提供高灵敏度响

应，进一步提升数据获取的全面性和精确性。此外，随着技术的发展，多光谱融合的能力也逐步增强，使得

不同波段数据的集成与分析变得更加高