P型GaN欧姆接触特性的多维度解析与优化策略研究.docxVIP

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2026-01-02 发布于上海
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P型GaN欧姆接触特性的多维度解析与优化策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质，成为了第三代半导体材料中的杰出代表，在现代电子器件领域占据着愈发重要的地位。GaN材料具有宽禁带（Eg=3.4eV）、大的热导率和介电常数、高的电子饱和速度以及出色的化学稳定性等一系列优良特性，这些特性使得GaN在短波长发光器件、紫外探测器、大功率微波器件和高温电子器件等方面展现出了广阔的应用前景。

在短波长发光器件领域，基于GaN材料制作的蓝光和绿光发光二极管（LED）已成为照明、显示、通信和信号等方面的关键元件，极大地推动了照明