氮化镓晶体管封装与热建模技术分析.pdfVIP

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氮化镓晶体管封装的先进性和

热建模分析

作者：JohanStrydom，MichaeldeRooij，AlexLidow，宜普电源转换公司

关键字：氮化镓晶体管，GaN，宜普电源EPC

MOSFETPolarPAK(3)

三年来，可替代功率器件的基于氮化参考文献的创新封装。那么高性能封装主要

(1)的要求？而什么样的封装才是“理想”封装？

近镓晶体管产品系列已非常广阔参考文献。除

了优异的传导性能外，这些新一代器件的开关器件封装是要提高鲁棒性，防止器件被环境

速度比传统硅器件要快十倍。这些卓越的特性不仅催生了破坏，及易于使用。当在较高电压工作时，有些封装是需

许多新应用，同时对封装和热管理方面的要求也更为严要符合器件之间的电压和漏电方面的要求。然而，与

格。本文主要讨论在高功率密度系统中，使用触点阵列裸片相比，由于封装增加了制造成本、导通电阻、电

(LandGridArray/LGA)封装的高性能增强型eGaNFET所具感和体积，这样会降低器件的电气性能和热性能。

有的优势，以及如何面对在热管理方面所遇到的。一个优异的高性能封装，在可以实现所需封装的

优势同时，能够把封装可能导致的弊端减至最少。在

理想封装电压低于约200V时工作，无引线、双面冷却封装如

随着过去几年低压硅MOSFET性能的不断改善，DirectFET、PolarPAK、chipscale或LGA成为一个先进

缺乏高性能封装已经成为一个主要因素，使器件性能的解决方案。封装的选择很大程度上取决于器件的结构

DirectFET(2)是垂直还是横向。具横向结构的器件采用级封装

受限，这激励了业界开发出像参考文献及

(如GreatWall公司的BGAMOSFET(参考文献4))，而垂

直结构、“倒装”器件则需要把大电流基板端子引至

PCB(DirectFETPolarPAK)

如或封装。与此类似的，是

LGAeGaN(1)

采用封装的宜普器件见图，使用源极和漏

子的交叉手指形状，把导通电阻和寄生电感减至最

小。

1eGaNFETMOSFET

表比较了与相同导通电阻的

图1，EPC2001eGaNFET的额定参数是100V、7mΩ和25A。这种的尺寸分别。eGaNFET拥有高效率的级L