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2025年半导体十年技术迭代与全球竞争报告参考模板
一、行业背景与演进脉络
二、技术迭代路径与核心突破
2.1制程工艺的极限突破与多路径探索
(1)从7nm到3nm的微缩攻坚
(2)FinFET到GAA晶体管的结构变革
(3)EUV光刻技术的关键支撑作用
2.2第三代半导体的崛起与产业应用
(1)碳化硅(SiC)在功率电子领域的渗透
(2)氮化镓(GaN)在快充与5G领域的应用
(3)材料生长与制造工艺的突破
2.3异构计算与架构设计的范式变革
(1)CPU+GPU+FPGA的异构集成
(2)存算一体与存内计算的探索
(3)Chiplet(芯粒)技术的产业化落地
2.4先进封装技术的跨
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