新型钙钛矿半导体CsSnBr3：材料制备、性能表征与应用前景的深度剖析.docx

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2026-01-03 发布于上海
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新型钙钛矿半导体CsSnBr3：材料制备、性能表征与应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，卤化物钙钛矿半导体材料凭借其卓越的光电性能，如高载流子迁移率、长载流子扩散长度、高吸收系数和可调带隙等，展现出巨大的应用潜力，成为研究热点。特别是在太阳能电池、发光二极管、光电探测器等方面，卤化物钙钛矿材料的应用推动了相关技术的快速发展。其中，铅基卤化物钙钛矿（如CH_3NH_3PbI_3、CsPbBr_3等）在过去的研究中取得了显著的成果，在太阳能电池中，其光电转换效率不断刷新纪录，接近理论极限；在发光二极管中，实现了高亮度和高效率的发光。然而，铅元素的高毒性及其