蓝宝石基片上Tl - 2212高温超导薄膜制备技术及性能研究.docxVIP

蓝宝石基片上Tl-2212高温超导薄膜制备技术及性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自从高温超导体被发现以来，高温超导薄膜在超导电子学领域展现出了巨大的应用潜力，其应用范围涵盖了滤波器、THz天线、红外探测器以及电力传输、磁悬浮列车、核磁共振成像等多个重要领域。在众多制备超导薄膜的衬底材料中，蓝宝石基片因其具备优良的微波性能、高硬度、高化学稳定性以及与多种超导材料较好的晶格匹配性等优势，受到了广泛关注。

蓝宝石（\alpha-Al?O?）属于六方晶系，具有高度有序的原子排列，这赋予了它极高的机械稳定性，能够在各种苛刻环境下保持性能稳定，为超导薄膜的生长提供了一个稳定的基底环境，减少了缺陷的产生。同时，蓝宝石还具有高透光率，尤其是在紫外到红外波段的光学透过性能极佳，这一特性在一些光电器件与超导薄膜结合的应用中，确保了光子能量的高效传输和低损耗。其优异的热导率与热稳定性，在高功率应用场景中，能够有效散热并防止因温度变化导致的性能下降。

Tl-2212（Tl?Ba?CaCu?O?）超导薄膜具有较高的临界温度（T_c可达110K）、较高的临界电流密度以及较强的抗潮湿能力等优点，是开发高性能高温超导电子器件的重要材料。在蓝宝石基片上制备Tl-2212高温超导薄膜，有望结合两者的优势，进一步提升超导器件的性能，为超导电子学的发展提供更有力的支持。例如，在微波器件应用中，常常要求薄膜的厚度大于磁场穿透深度的2倍才能有效地降低微波损耗，对于Tl-2212薄膜来说，一般认为其磁场穿透深度值为210-300nm（77K），因此制备具有良好电学性能、厚度大于420nm无裂纹的Tl-2212超导薄膜成为研究重点之一。然而，在蓝宝石上制备较厚的无裂纹Tl-2212超导薄膜存在诸多困难，薄膜在高温热处理过程中容易出现裂纹，导致超导薄膜的特性急剧降低。所以，深入研究在蓝宝石基片上制备Tl-2212高温超导薄膜的工艺和性能，对于推动高温超导薄膜的实际应用具有重要的理论和现实意义。

1.2国内外研究现状

在国外，对于在蓝宝石基片上制备Tl-2212薄膜的研究开展较早，并且取得了一系列成果。在制备技术方面，采用了多种方法，如磁控溅射、脉冲激光沉积、Aerosol、MOCVD、Sol-gel等。在工艺探索上，对先驱膜的铊化处理温度、时间等参数进行了大量研究，通常采用860-880℃进行先驱膜的铊化处理。一些研究通过改变工艺参数，成功制备出了不同厚度的Tl-2212薄膜，并对其性能进行了表征。研究发现随着薄膜厚度的增加，其表面形貌会发生变化，从致密平整的结构演化为片状晶体结构，同时临界转变温度T_c和临界电流密度J_c先增大后减小，微波表面电阻R_s先减小后增大。

国内的研究人员也在该领域进行了深入探索。一方面，借鉴国外先进的制备技术和方法，结合国内实际情况进行优化和改进；另一方面，开展了具有创新性的研究工作。通过对蓝宝石基片进行预处理，如在1000℃×20h条件下退火，改善了基片表面的晶体结构和性能，从而在其上制作出了具有致密的晶体结构、高度c轴取向的外延Tl-2212超导薄膜，该薄膜具有优良的电学性能。还有研究通过改变CeO?缓冲层的厚度（30-500nm）来探索对Tl-2212薄膜生长的影响，发现随着CeO?缓冲层厚度的变化，所制备的Tl-2212薄膜的最大无裂纹厚度和超导性能也会发生相应改变。

然而，当前研究仍然存在一些不足之处。传统的烧结工艺受先驱膜的沉积方法、铊源陪烧靶的起始材料的粉体颗粒大小及其制备方法的影响很大，更换原材料的厂家、以及先驱膜的沉积方法，就必须花费大量时间重新探索其制备工艺。在制备较厚的无裂纹Tl-2212超导薄膜方面，虽然取得了一定进展，但目前所制备的薄膜最大无裂纹厚度仍然有限，难以满足一些对薄膜厚度要求较高的应用场景。对于CeO?缓冲层的后退火以及先驱膜的较低温度后退火对不同厚度Tl-2212薄膜的形貌及超导特性的影响还缺乏系统深入的研究。

1.3研究内容与创新点

本研究主要内容包括：采用合适的制备方法，如直流磁控溅射法和后退火技术，在蓝宝石基片上制备Tl-2212高温超导薄膜；对制备的薄膜进行全面的性能表征，包括表面形貌、晶体结构、临界转变温度T_c、临界电流密度J_c、微波表面电阻R_s等；系统分析影响薄膜性能的因素，如薄膜厚度、基片预处理方式、缓冲层厚度及后退火工艺、先驱膜的后退火温度和时间等。

本研究的创新点在于：一是在工艺方面，提出了一种新的三段升温烧结工艺，通过优化不同温区的升温速度，避免了薄膜裂纹的产生，克服了传统低速升温烧结工艺受先驱膜的沉积方法、铊源陪烧靶的起始材料的粉体颗粒大小影响的问题，有