（集成电路）半导体工艺基础试题及答案.docVIP

2025年（集成电路）半导体工艺基础试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种材料不是常见的半导体材料？（）

A.硅B.锗C.铜D.砷化镓

2.集成电路制造中，光刻的主要作用是（）

A.定义器件的几何形状B.掺杂杂质C.形成金属互连D.氧化硅表面

3.热氧化生长二氧化硅的过程中，氧气的作用是（）

A.作为反应物B.作为保护气C.提供热量D.无作用

4.离子注入是一种（）

A.掺杂工艺B.光刻工艺C.氧化工艺D.金属化工艺

5.半导体器件中，PN结的形成是通过（）

A.扩散B.离子注入C.光刻D.氧化

6.MOSFET中栅极氧化层的作用是（）

A.隔离源漏B.控制沟道电流C.提供机械支撑D.散热

7.化学气相沉积（CVD）可以用于（）

A.生长二氧化硅B.掺杂杂质C.形成金属互连D.以上都是

8.集成电路制造中，湿法刻蚀的特点是（）

A.精度高B.选择性好C.对衬底损伤小D.速度快

9.以下哪种光刻技术的分辨率最高？（）

A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.电子束光刻

10.半导体工艺中，退火的目的是（）

A.消除晶格缺陷B.降低杂质浓度C.提高光刻精度D.增强氧化效果

二、多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的特性包括（）

A.导电性介于导体和绝缘体之间B.具有光电效应C.具有热敏性D.硬度高

2.光刻工艺中需要用到的材料有（）

A.光刻胶B.掩膜版C.显影液D.蚀刻液

3.热氧化生长二氧化硅的条件包括（）

A.高温B.氧气C.硅衬底D.催化剂

4.离子注入的优点有（）

A.精确控制掺杂浓度B.对衬底损伤小C.可实现浅结D.工艺简单

5.PN结的特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.放大作用D.稳压作用

6.MOSFET的基本结构包括（）

A.栅极B.源极C.漏极D.衬底

7.化学气相沉积可以用于生长的薄膜有（）

A.二氧化硅B.氮化硅C.多晶硅D.金属薄膜

8.湿法刻蚀的缺点有（）

A.对图形的保真度有限B.可能会产生侧向腐蚀C.对环境有污染D.速度慢

9.光刻技术的发展趋势包括（）

A.更高的分辨率B.更大的光刻面积C.更低的成本D.更短的曝光时间

10.半导体工艺中，常见的清洗工艺有（）

A.湿法清洗B.干法清洗C.电化学清洗D.机械清洗

三、判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的导电性不能通过外界条件改变。（）

2.光刻工艺中，曝光时间越长，光刻精度越高。（）

3.热氧化生长二氧化硅的过程中，温度越高，生长速度越快。（）

4.离子注入只能用于掺杂N型杂质。（）

5.PN结正向偏置时，电流可以顺利通过。（）

6.MOSFET中，栅极电压为0时，沟道电流最大。（）

7.化学气相沉积生长的薄膜质量与反应气体的流量无关。（）

8.湿法刻蚀可以用于去除各种材料。（）

9.光刻技术中，波长越长，分辨率越高。（）

10.半导体工艺中，退火温度越高越好。（）

第II卷（非选择题共60分）

四、简答题（每题2分，共20分）

1.简述半导体材料的导电性原理。

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2.光刻工艺的基本流程是什么？

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3.热氧化生长二氧化硅的原理是什么？

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4.离子注入的工艺流程包括哪些步骤？

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5.简述PN结的单向导电性。

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6.MOSFET的工作原理是什么？

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7.化学气相沉积的基本原理是什么？

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8.湿法刻蚀的选择比是什么意思？

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9.光刻技术中的分辨率受哪些因素影响？

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10.半导体工艺中，退火的分类有哪些？

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五、讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论如何提高集成电路制造中的光刻精度。

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2.分析热氧化生长二氧化硅过程中可能出现的问题及解决方法。

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3.探讨离子注入技术在现代集成电路制造中的应用前景。

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4.谈谈PN结在半导体器