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2025年场效应管考试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.场效应管的主要特点是（A）。

A.高输入阻抗

B.低输入阻抗

C.高输出阻抗

D.低输出阻抗

2.MOSFET的缩写是（B）。

A.BJT

B.MOSFET

C.JFET

D.IGBT

3.在增强型MOSFET中，当栅源电压VGS小于开启电压Vth时，（B）。

A.漏极电流ID增大

B.漏极电流ID为零

C.漏极电流ID减小

D.漏极电流ID不变

4.耗尽型MOSFET在VGS=0时，（A）。

A.漏极电流ID不为零

B.漏极电流ID为零

C.漏极电流ID非常大

D.漏极电流ID非常小

5.场效应管的跨导（gm）是指（C）。

A.栅源电压变化与漏极电流变化之比

B.漏极电流变化与栅源电压变化之比

C.漏极电流变化与栅源电压变化之比

D.栅源电压变化与漏极电流变化之比的倒数

6.场效应管的栅极通常采用绝缘材料，其主要原因是（A）。

A.高输入阻抗

B.低输入阻抗

C.高输出阻抗

D.低输出阻抗

7.场效应管的漏极电流ID主要由（B）决定。

A.栅极电压

B.栅源电压

C.漏极电压

D.源极电压

8.场效应管的栅源击穿电压是指（C）。

A.栅极与源极之间的最大电压

B.漏极与源极之间的最大电压

C.栅极与源极之间能承受的最大电压

D.漏极与源极之间能承受的最大电压

9.场效应管在放大电路中通常工作在（A）区。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.击穿

10.场效应管的输出特性曲线是指（D）。

A.栅源电压与漏极电流的关系

B.漏极电压与漏极电流的关系

C.栅源电压与漏极电压的关系

D.漏极电压与漏极电流的关系

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.场效应管的主要类型包括（AB）。

A.MOSFET

B.JFET

C.BJT

D.IGBT

2.场效应管的优点包括（ABCD）。

A.高输入阻抗

B.低噪声

C.高增益

D.功率密度高

3.场效应管的缺点包括（AB）。

A.开启电压较高

B.低频特性较差

C.高频特性较差

D.功率密度低

4.场效应管的工作区域包括（ABCD）。

A.放大区

B.截止区

C.饱和区

D.击穿区

5.场效应管的参数包括（ABCD）。

A.跨导（gm）

B.开启电压（Vth）

C.栅源击穿电压（VGS（BR））

D.漏源击穿电压（VDS（BR））

6.场效应管在电路中的应用包括（ABCD）。

A.放大器

B.开关

C.滤波器

D.驱动器

7.场效应管的制造材料包括（AB）。

A.单晶硅

B.化合物半导体

C.金属

D.陶瓷

8.场效应管的温度特性包括（AB）。

A.温度升高，开启电压减小

B.温度升高，跨导增大

C.温度升高，漏极电流减小

D.温度升高，漏极电流增大

9.场效应管的栅极保护措施包括（AB）。

A.添加栅极电阻

B.使用栅极保护二极管

C.添加漏极电阻

D.使用漏极保护二极管

10.场效应管的特性曲线包括（ABCD）。

A.输出特性曲线

B.转移特性曲线

C.输入特性曲线

D.击穿特性曲线

三、判断题（每题2分，共10题）

1.场效应管是一种电流控制器件。（正确）

2.场效应管的栅极需要接地。（错误）

3.场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS成正比。（错误）

4.场效应管的跨导（gm）越大，放大能力越强。（正确）

5.场效应管的开启电压（Vth）是一个固定值。（错误）

6.场效应管的漏源击穿电压（VDS（BR））是一个固定值。（正确）

7.场效应管在放大电路中通常工作在饱和区。（正确）

8.场效应管的栅极击穿会导致器件损坏。（正确）

9.场效应管的温度升高，漏极电流ID会增大。（正确）

10.场效应管的栅极电阻可以保护栅极免受静电损伤。（错误）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述场效应管的工作原理。

答：场效应管是一种通过控制栅极电压来控制漏极电流的器件。当栅源电压VGS达到开启电压Vth时，漏极电流ID开始流动。随着VGS的增加，漏极电流ID增大，形成放大效应。场效应管的工作原理基于栅极电压产生的电场对导电沟道的控制。

2.简述场效应管的三个工作区域。

答：场效应管的三个工作区域包括截止区、放大区和饱和区。在截止区，VGS小于开启电压Vth，漏极电流ID为零。在放大区，VGS大于开启电压Vth且VDS小于VGS-Vth，漏极电流ID与VGS成正比。在饱和区，VGS大于开启电压Vth且VDS大于VGS-Vth，漏极电流ID基本不随VDS变化。

3.简述场效应管的跨导（gm）的意义。

答：