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电子技术刘丽莎课后习题答案.docx

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    项目一练习答案

    1.1常温下，硅二极管的死区电压是0.5V，正向导通电压是0.5~0.7V；锗二极管的死区电压是0.1V,正向导通电压是0.2~0.3V

    1.2(1)导通

    (2)硅二极管的电流I=3.3mA

    (3)理想二极管的电流I=4mA

    1.3

    1.4U?=1V

    1.5D?导通D?截止

    1.6U0

    1.7V0

    1.8变压、整流、滤波、稳压

    1.9+5V,-12V

    1.10-2U

    1.11(1)电路断路,无输出 (2)无正半周，只有负半周输出

    1.12(1)

    (2)R=600Ω

    习题答案第1页，共18页

    项目二练习答案

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