微电子器件考试卷及答案.docVIP

微电子器件考试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种半导体材料最常用于制造集成电路？

A.硅B.锗C.砷化镓D.碳化硅

2.半导体中，受主杂质提供（）

A.自由电子B.空穴C.两者都有D.两者都没有

3.MOS晶体管中，控制电流大小的是（）

A.源极电压B.漏极电压C.栅极电压D.衬底电压

4.集成电路制造中，光刻的作用是（）

A.刻蚀硅片B.沉积薄膜C.图形转移D.掺杂

5.以下哪种不是半导体的导电机制（）

A.电子导电B.离子导电C.空穴导电D.电子-空穴对导电

6.肖特基二极管与普通二极管相比，其特点是（）

A.反向电流大B.正向导通电压高C.开关速度快D.耐压高

7.双极型晶体管中，电流放大倍数常用（）表示

A.βB.αC.γD.δ

8.在CMOS电路中，“0”逻辑电平对应的电压是（）

A.高电平B.低电平C.电源电压D.不确定

9.半导体存储器中，ROM的含义是（）

A.随机存取存储器B.只读存储器C.动态随机存取存储器D.静态随机存取存储器

10.微电子制造工艺中，化学机械抛光的目的是（）

A.去除杂质B.平整表面C.氧化硅片D.光刻对准

答案：1.A2.B3.C4.C5.B6.C7.A8.B9.B10.B

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.以下属于半导体材料特性的有（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂特性D.绝缘性

2.常见的半导体制造工艺包括（）

A.光刻B.蚀刻C.薄膜沉积D.外延生长

3.双极型晶体管的工作状态有（）

A.放大B.饱和C.截止D.反向

4.MOS晶体管的结构包括（）

A.源极B.漏极C.栅极D.衬底

5.以下哪些是半导体器件中的杂质类型（）

A.施主杂质B.受主杂质C.中性杂质D.复合杂质

6.集成电路按功能可分为（）

A.数字集成电路B.模拟集成电路C.混合信号集成电路D.功率集成电路

7.半导体二极管的主要参数有（）

A.正向电流B.反向电流C.正向导通电压D.反向击穿电压

8.影响MOS晶体管性能的因素有（）

A.栅极氧化层厚度B.沟道长度C.衬底掺杂浓度D.工作温度

9.半导体存储器按照存储原理可分为（）

A.随机存取存储器B.只读存储器C.静态存储器D.动态存储器

10.光刻技术中涉及的关键要素有（）

A.光刻胶B.掩膜版C.光刻机D.曝光时间

答案：1.ABC2.ABCD3.ABC4.ABCD5.AB6.ABC7.ABCD8.ABCD9.CD10.ABCD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

2.N型半导体中，电子是少数载流子。（）

3.双极型晶体管是电压控制型器件。（）

4.MOS晶体管的栅极与源极、漏极之间是绝缘的。（）

5.光刻的分辨率越高，制造的器件尺寸越小。（）

6.半导体二极管的反向电流随温度升高而减小。（）

7.集成电路中，CMOS工艺比双极型工艺功耗低。（）

8.动态随机存取存储器需要定期刷新。（）

9.掺杂可以改变半导体的导电类型和导电能力。（）

10.肖特基二极管的正向导通电压比普通二极管高。（）

答案：1.√2.×3.×4.√5.√6.×7.√8.√9.√10.×

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述半导体的光电效应。

答案：半导体的光电效应是指半导体在受到光照时，其内部的电子吸收光子能量，从价带跃迁到导带，产生电子-空穴对，从而使半导体的电导率增加的现象。

2.说明CMOS电路的优点。

答案：CMOS电路优点有功耗低，静态功耗几乎为零；抗干扰能力强；集成度高，可在同一芯片上集成大量晶体管；工作电压范围宽，电源兼容性好。

3.简述双极型晶体管的电流放大原理。

答案：双极型晶体管有发射区、基区和集电区。发射区向基区注入大量载流子，由于基区很薄且掺杂浓度低，大部分载流子扩散