2025 年大学电子科学与技术（科学研究）期末考核卷.docVIP

2025年大学电子科学与技术（科学研究）期末考核卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______

一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填入括号内）

1.以下哪种材料不属于半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.铜

D.砷化镓

2.电子在半导体中的运动主要表现为（）。

A.自由电子的定向移动

B.空穴的定向移动

C.自由电子和空穴的同时移动

D.以上都不对

3.半导体器件中，PN结的主要作用是（）。

A.放大电流

B.整流

C.存储电荷

D.产生光发射

4.对于MOSFET，以下说法正确的是（）。

A.栅极电压控制漏极电流

B.源极电压控制漏极电流

C.漏极电压控制栅极电流

D.以上都不对

5.集成电路制造工艺中，光刻的目的是（）。

A.在硅片上形成金属层

B.在硅片上形成绝缘层

C.在硅片上确定器件的图形

D.在硅片上掺杂杂质

6.在电子科学与技术研究中，常用的测试仪器不包括（）。

A.示波器

B.万用表

C.电子天平

D.频谱分析仪

7.以下哪种技术可以提高集成电路的集成度？（）

A.缩小器件尺寸

B.增加电源电压

C.降低工作频率

D.减少布线层数

8.半导体发光二极管的发光原理是（）。

A.电致发光

B.光致发光

C.热致发光

D.化学发光

9.对于数字电路中的逻辑门，以下说法错误的是（）。

A.与门实现逻辑乘功能

B.或门实现逻辑加功能

C.非门实现逻辑取反功能

D.与非门实现逻辑乘加功能

10.在电子系统设计中，功耗优化的主要方法不包括（）。

A.降低电源电压

B.降低工作频率

C.采用低功耗器件

D.增加电路复杂度

二、多项选择题（总共5题，每题4分，每题至少有两个正确答案，请将正确答案填入括号内，多选、少选、错选均不得分）

1.以下属于半导体物理特性的有（）。

A.热敏性

B.光敏性

C.掺杂性

D.绝缘性

2.半导体器件的基本特性包括（）。

A.电流放大作用

B.电压控制作用

C.开关特性

D.光电转换特性

3.集成电路制造工艺中的主要步骤有（）。

A.氧化

B.光刻

C.掺杂

D.金属化

4.数字电路中常用的逻辑部件有（）。

A.触发器

B.计数器

C.编码器

D.译码器

5.在电子科学与技术研究中，常用的研究方法有（）。

A.理论分析

B.实验研究

C.数值模拟

D.文献调研

三、判断题（总共10题，每题2分，请判断下列说法的对错，正确的打“√”，错误的打“×”）

1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，且其导电能力不随温度变化。（）

2.PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，具有单向导电性。（）

3.MOSFET的阈值电压是指能够使器件导通的最小栅极电压。（）

4.集成电路制造工艺中，氧化层的主要作用是提供绝缘和保护。（）

5.数字电路中，高电平用“1”表示，低电平用“0”表示，这是一种正逻辑表示方法。（）

6.半导体发光二极管发出的光的波长与材料的禁带宽度有关。（）

7.在电子系统设计中，提高系统的可靠性主要通过增加冗余电路来实现。（）

8.电子科学与技术研究中，理论分析是最重要的方法，实验研究和数值模拟可有可无。（）

9.对于双极型晶体管，基极电流控制集电极电流。（）

10.集成电路的集成度越高，其性能必然越好。（）

四、简答题（总共3题，每题10分）

1.简述半导体中自由电子和空穴的产生过程，并说明它们在半导体导电中的作用。

2.请详细说明MOSFET的工作原理，包括不同工作区域的特点及条件。

3.阐述集成电路制造工艺中光刻、掺杂和金属化这三个关键步骤的作用及相互关系。

五、论述题（总共1题，每题20分）

结合当前电子科学与技术的发展趋势，谈谈你对未来电子器件性能提升方向的理解，以及在科学研究方面可能面临的挑战和机遇。

答案：

一、选择题

1.C

2.C

3.B

4.A

5.C

6.C

7.A

8.A

9.D

10.D

二、多项选择题

1.ABC

2.ABCD

3.ABCD

4.ABCD

5.ABCD

三、判断题

1.×

2.√

3.√

4.√

5.√

6.√

7.√

8.×

9.√

10.×

四、简答题

1.半导体中，在热激发或光照等作用下，价带中的电子获得能量跃迁到导带成为自由电子，同时在价带中留下相应的空穴。自由电子可在半导体中自由移动参与导电，空穴也可等效为带正电的粒子，其移动方向与