2026年口腔正畸学考试题库附完整答案【精选题】.docxVIP

2026年口腔正畸学考试题库

第一部分单选题(50题)

1、在正畸治疗中，为防止牙根吸收，应特别注意？

A.使用轻力

B.避免持续性的过大力

C.定期拍摄X线片监控

D.以上都是

【答案】：D

2、关于开颌的描述，以下哪项是正确的？

A.前牙覆颌过大

B.上下前牙在垂直向无接触

C.属于AngleII类错颌的特有表现

D.只能通过手术治疗

【答案】：B

3、下列哪项是正畸-正颌联合治疗最明确的适应症？

A.牙性前牙反??

B.严重的骨性颌面畸形

C.轻度牙列拥挤

D.个别牙错位

【答案】：B

4、安氏I类错颌是指？

A.磨牙为中性关系，前牙为深覆盖

B.磨牙为近中关系

C.磨牙为中性关系

D.磨牙为远中关系

【答案】：C

5、Angle错??分类法中，上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟，这是哪一类？

A.Ⅰ类

B.Ⅱ类

C.Ⅲ类

D.Ⅳ类

【答案】：A

6、隐形矫治技术（如Invisalign）与传统固定矫治技术相比，其目前公认的主要局限性在于？

A.美观性差

B.对牙齿的三维控制，尤其是复杂的牙根移动和颌间关系调整，可能不如固定矫治精确

C.无法治疗牙列拥挤

D.治疗时间普遍更长

【答案】：B

7、关于正畸牙移动的透明样变，以下描述正确的是？

A.是一种可逆的病理改变

B.主要发生在牙槽嵴顶

C.在轻力作用下更容易发生

D.其发生意味着牙周组织对力的理想反应

【答案】：A

8、下列哪项是正畸治疗中发生牙槽骨开窗或骨开裂的高危因素？

A.牙根形态异常（如过短、过细）

B.牙槽骨本身存在骨缺损或菲薄

C.牙齿移动范围过大（如过度唇倾）

D.以上都是

【答案】：D

9、下列哪项是保持阶段必须的？

A.全天佩戴保持器至少1年

B.定期复查

C.注意口腔卫生

D.以上都是

【答案】：D

10、关于正畸治疗中牙周组织的生物学反应，下列哪项描述最准确？

A.压力侧牙槽骨吸收，张力侧牙槽骨沉积

B.压力侧牙槽骨沉积，张力侧牙槽骨吸收

C.压力侧和张力侧牙槽骨都吸收

D.压力侧和张力侧牙槽骨都沉积

【答案】：A

11、骨性II类错颌畸形，其ANB角通常大于多少度？

A.0°

B.2°

C.4.7°

D.8°

【答案】：C

12、在正畸治疗中，为防止支抗丧失，常采用以下哪种方法？

A.增加矫治力

B.使用口外弓

C.缩短治疗时间

D.使用较细的弓丝

【答案】：B

13、对于存在颞下颌关节紊乱病（TMD）的患者进行正畸治疗，以下原则正确的是？

A.TMD是正畸治疗的绝对禁忌症

B.正畸治疗可以根治所有类型的TMD

C.治疗目标应是建立稳定的、可重复的颌位，而非追求理想的咬合关系

D.应优先考虑将下颌前导至前伸位

【答案】：C

14、在拔除四个第一前磨牙的病例中，关闭间隙时，为防止前牙过度内收，需要加强哪种支抗？

A.上颌前牙支抗

B.上颌后牙支抗

C.下颌前牙支抗

D.下颌后牙支抗

【答案】：B

15、下列哪项是安氏I类错颌的主要特征？

A.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟

B.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙与第二前磨牙之间

C.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的远中颊沟

D.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的中央窝

【答案】：A

16、关于支抗，以下说法正确的是？

A.强支抗意味着支抗牙移动量大于目标牙

B.种植体支抗属于绝对支抗

C.Nance弓主要用于增强垂直向支抗

D.口外弓只能用于增强下颌支抗

【答案】：B

17、下列哪项不是正畸治疗中牙根吸收的危险因素？

A.治疗前已存在的牙根吸收

B.持续的轻力

C.牙齿的压入移动

D.治疗时间过长

【答案】：B

18、下列哪项是判断正畸治疗是否需要拔牙的关键因素？

A.牙弓长度不调的程度（拥挤度或间隙）

B.患者的年龄

C.矫治器的类型

D.治疗费用的高低

【答案】：A

19、在制定正畸治疗计划时，头影测量分析的主要作用是？

A.评估牙齿的拥挤度

B.评估颌骨间及颅面结构的矢状、垂直向关系

C.评估牙周健康状况

D.评估颞下颌关节功能

【答案】：B

20、下列哪项是种植体支抗的主要优点？

A.提供绝对支抗

B.患者舒适度高

C.不需要患者配合

D.以上都是

【答案】：D

21、下列哪项不是早期矫治的适应症？

A.前牙反颌

B.后牙锁颌

C.个别牙轻度扭转

D.口腔不良习惯

【答案】：C

22、在正畸治疗中，实现上颌磨牙的远中移动，下列哪种方法提供的支抗最强？

A.Nance弓

B.横腭杆

C.种植体支