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题目：Ag2S/In2S3/TiO2复合材料的制备及表征
摘要
TiO2成本低廉，且对光的催化活性高，在金属的光生阴极保护研究中受到广泛关注。但由于其具
有较大的禁带宽度（3.2eV），只能吸收部分太阳光，对太阳光的转化效率较低，而且TiO2的光生电
子和空穴很容易复合，减少了光生电子的使用率，不能对金属起到很好的保护。本研究欲通过SILAR
法制备Ag2S/In2S3/TiO2纳米复合薄膜，并对其进行表征。通过扫描电镜得到的SEM图片可知有粒子
附在了TiO2上，通过XRD和XPS结果分析可知，本次实验成功制得了Ag2S/In2S3/Ti
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