PN结形成与特性分析：从空间电荷区到单向导电性及击穿机制.pdfVIP

8.2二极管

8.2.1PN结P空间电荷区空间电荷区N

耗尽层

一、PN结的形成

1、浓度差引起载

流子的扩散

2、内电场引起载

流子的漂移

内电场

3、动态平衡时PN结

中的电流：扩散电流等于漂移电流，PN结中的电

流为零

二、PN结的单向导电特性

PPNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNNN

P一部分空抵一部分正空N区

I内电场方向

扩散增强，形R

外电场方向

成较大的正向电流E(1)外加正向电压

外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走

多数载流子的扩散难于进行

P少数载流子越过PN结形成很小的反向电流

IR内电场方向R

外电场方向

E(2)外加反向电压

三、PN结的击穿

1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。

浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很

强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。

2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。

浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，

当遇到价电子时，就可以把其撞出来。

3、4伏~6伏，两种情况都可能电击穿