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探秘二维磁性材料与磁性半金属：临界现象与输运特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在凝聚态物理领域，二维磁性材料与磁性半金属一直是研究的焦点，它们展现出的独特物理性质为众多前沿技术的发展提供了重要基础。二维磁性材料由于其原子级的厚度和低维特性，呈现出与传统三维材料截然不同的磁学性质，如显著的量子尺寸效应、增强的自旋-轨道耦合以及独特的层间磁相互作用等。这些特性不仅丰富了人们对低维磁性物理的理解，也为构建新型自旋电子学器件提供了可能。磁性半金属则以其特殊的电子结构著称，在一个自旋方向上表现出金属性，而在另一个自旋方向上呈现半导体或绝缘特性，这种自旋极化的能带结构使得磁性半金属在自旋电子学中具有不可替代的作用，特别是在实现高效的自旋注入和自旋输运方面。

研究二维磁性材料与磁性半金属的临界现象及输运性质对于自旋电子学的发展具有至关重要的推动作用。临界现象反映了材料在磁性相变附近的奇异行为，通过对临界指数等关键参数的研究，可以深入了解材料内部的磁相互作用机制和相变规律。这对于设计和优化具有特定磁性转变温度和磁性能的材料具有指导意义。例如，在磁存储器件中，精确控制材料的磁性相变温度可以提高存储的稳定性和可靠性。

输运性质则直接关系到材料在自旋电子学器件中的实际应用性能。研究自旋相关的输运过程，如自旋极化电流的产生、传输和调控，有助于开发高性能的自旋电子学器件，如自旋晶体管、磁性随机存取存储器（MRAM）等。这些器件利用电子的自旋自由度来存储和处理信息，与传统的基于电荷的电子器件相比，具有功耗低、速度快、存储密度高等显著优势，有望成为下一代信息技术的核心。

1.2研究现状综述

近年来，二维磁性材料与磁性半金属的研究取得了长足的进展。在二维磁性材料方面，实验上成功制备出了多种具有本征磁性的二维材料，如Cr?Ge?Te?、CrI?、Fe?GeTe?等。研究发现，这些材料的磁性对层数、温度、外加电场等因素极为敏感。例如，Cr?Ge?Te?的居里温度随着层数的减少而降低，通过施加电场可以有效地调控其磁性和电学性质，展现出了在电场调控磁性器件中的应用潜力。理论计算方面，基于密度泛函理论（DFT）等方法，深入研究了二维磁性材料的磁结构、磁相互作用以及电子结构，为理解其磁性起源和特性提供了理论支持。同时，通过理论模拟预测了一些新型二维磁性材料，为实验探索提供了方向。

在磁性半金属领域，已经发现了多种具有半金属特性的材料，如反铁磁半金属DySb、磁性外尔半金属PrAlGe等。对这些材料的研究主要集中在其磁性转变行为、电子结构特征以及输运性质等方面。例如，在DySb中观察到了磁场诱导的三重临界现象，通过对其H-T相图的研究，揭示了材料在不同磁场和温度条件下的磁性状态转变规律。在PrAlGe中，研究了其磁各向异性和磁熵变等性质，为进一步理解磁性外尔半金属的物理特性提供了依据。

然而，现有研究仍存在一些不足之处。对于二维磁性材料，虽然在实验制备和基本性质研究方面取得了一定成果，但在提高材料的稳定性、增强磁性强度以及实现室温铁磁性等方面仍面临挑战。在理论研究中，如何准确描述二维材料中的强关联效应和量子涨落等复杂物理现象，仍然是一个有待解决的问题。对于磁性半金属，对其复杂的磁结构和电子结构的理解还不够深入，特别是在多场耦合（如磁场、电场、温度场等）条件下的输运性质研究还相对较少，这限制了其在高性能自旋电子学器件中的应用。

1.3研究内容与方法

本文主要围绕二维磁性材料与磁性半金属的临界现象及输运展开研究。在二维磁性材料方面，选取典型的二维范德瓦尔斯磁性半导体材料Cr?Ge?Te?和Fe?-xGeTe?作为研究对象，系统研究它们的临界行为和输运行为。通过实验测量和理论分析，深入探讨材料的磁各向异性、磁熵变以及各向异性磁阻等性质，揭示其在磁性相变过程中的物理机制和输运特性。

对于磁性半金属，以反铁磁半金属DySb和磁性外尔半金属PrAlGe为研究重点，分析它们的临界行为和磁熵标度。通过精确测量材料在不同磁场和温度条件下的磁性参数，绘制H-T相图，确定临界指数和相变类型。同时，结合理论计算，研究材料的电子结构和磁相互作用，解释其临界现象和输运性质的内在联系。

在研究方法上，采用理论计算与实验研究相结合的方式。理论计算方面，运用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对材料的晶体结构、电子结构和磁性质进行模拟，预测材料的性能和特性。实验研究则通过多种先进的实验技术，如物理气相传输法（PVT）生长高质量的单晶样品，利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等手段对样品的结构进行表征，采用振动样品磁强计（VSM）、综合物性测量系统（PPMS）等设备测量材料的磁性和输运性质，从而全面深入地研究二