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磁控溅射制备SiO₂基LaB₆薄膜的工艺优化与性能探究.docxVIP

磁控溅射制备SiO₂基LaB₆薄膜的工艺优化与性能探究.docx

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    磁控溅射制备SiO?基LaB?薄膜的工艺优化与性能探究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    在材料科学的持续进步中，薄膜材料因其独特的物理和化学性质，在电子、光学、能源等众多领域展现出重要的应用价值，成为了研究的热点之一。薄膜的制备技术作为决定薄膜性能与应用的关键因素，也在不断发展与创新。磁控溅射技术作为一种重要的薄膜制备方法，凭借其诸多显著优势，在现代材料制备领域占据了重要地位。

    磁控溅射技术是在高真空环境下，利用电场加速的离子轰击靶材，使靶材原子或分子脱离并沉积在基底表面形成薄膜。其沉积速率快，能够高效地制备薄膜，适合大规模工业生产，可显著提高生产效率，降低生产成本，在电子器件制造、光学镀

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