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In、Tl在Si(111)面吸附特性的第一性原理探究：电子结构与界面相互作用

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与半导体领域，对原子在材料表面的吸附特性研究始终占据着关键地位，它是探索材料微观结构与宏观性能关系的重要切入点。In（铟）和Tl（铊）作为Ⅲ主族金属元素，其在Si(111)面的吸附特性研究备受关注，这一研究方向蕴含着丰富的科学内涵与广阔的应用前景。

硅（Si）材料凭借其卓越的半导体性能、成熟的制备工艺以及良好的稳定性，在半导体产业中一直扮演着中流砥柱的角色，从早期的晶体管到如今复杂的大规模集成电路，Si材料无处不在，支撑着信息技术的飞速发展。而Si(11