半导体器件仿真：纳米器件仿真_（5）.纳米器件中的电输运理论.docx

PAGE1

PAGE1

纳米器件中的电输运理论

1.量子限制效应

1.1一维量子阱

在纳米尺度下，半导体器件的尺寸可以减小到纳米级别，此时量子限制效应变得显著。一维量子阱（1Dquantumwell）是其中的一种常见结构，它由两个势垒材料夹住一层薄的半导体材料构成。这种结构中的电子运动被限制在二维平面内，从而表现出一维的量子化能级。

原理

一维量子阱的能级可以通过求解薛定谔方程来获得。在势阱内，电子的势能为Vx=0，而在势垒外，势能为Vx=V0。假设势阱的宽度为L

?

在这个势能分布下，电子的波函数ψx

d

边界条件为：

ψ

求解上述方程，可以得到电子的量子化