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《集成电路设计(第2版)》习题答案10-12章

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一、单选题(共10题)

1.在CMOS工艺中，N型MOS晶体管的阈值电压Vtn和P型MOS晶体管的阈值电压Vtp通常相差多少？()

A.0V

B.0.5V

C.1V

D.2V

2.在集成电路设计中，以下哪种类型的电容通常用于电源去耦？()

A.固定电容

B.可变电容

C.多层陶瓷电容

D.电解电容

3.在数字集成电路中，以下哪种技术用于减少静态功耗？()

A.动态电源控制

B.静态电源控制

C.电压调节

D.功耗优化设计

4.在VLSI设计中，以下哪种方法可以用来优化晶体管尺寸？()

A.逻辑综合

B.电路仿真

C.版图布局

D.电路优化

5.在数字集成电路中，什么是亚阈值摆幅？()

A.晶体管导通时的电流

B.晶体管开关时的电流变化

C.晶体管阈值电压附近的电流变化

D.晶体管漏极电流

6.在集成电路设计中，什么是晶体管的短沟道效应？()

A.沟道长度效应

B.沟道宽度和长度效应

C.沟道长度和掺杂效应

D.沟道长度和电源电压效应

7.在数字集成电路中，以下哪种技术可以用来提高电路的抗噪声能力？()

A.电压调节

B.电流控制

C.信号整形

D.增强型设计

8.在VLSI设计中，什么是标准单元库？()

A.集成电路的物理布局

B.预定义的、可重复使用的逻辑单元集合

C.电路的仿真模型

D.电路的测试向量

9.在集成电路设计中，什么是闩锁效应？()

A.晶体管开关时的电流变化

B.晶体管导通时的电流

C.晶体管关闭时的电流变化

D.晶体管阈值电压附近的电流变化

二、多选题(共5题)

10.以下哪些因素会影响CMOS晶体管的阈值电压Vth？()

A.沟道长度L

B.沟道宽度W

C.源极到栅极距离W

D.栅极材料

11.在数字集成电路设计中，以下哪些技术可以用来提高电路的抗干扰能力？()

A.信号整形

B.噪声滤波

C.电源去耦

D.电路仿真

12.以下哪些是VLSI设计中常用的版图设计工具？()

A.CadenceVirtuoso

B.SynopsysDesignCompiler

C.MentorGraphicsExpedition

D.AltiumDesigner

13.在数字集成电路中，以下哪些因素会影响电路的功耗？()

A.电路的工作频率

B.电路的时钟周期

C.电路的晶体管类型

D.电源电压

14.以下哪些是数字集成电路设计中常用的设计方法？()

A.行波线设计

B.功耗优化设计

C.逻辑综合

D.版图设计

三、填空题(共5题)

15.在CMOS工艺中，N型MOS晶体管的阈值电压Vtn通常比P型MOS晶体管的阈值电压Vtp高约______。

16.在集成电路设计中，为了减少静态功耗，通常会采用______技术来关闭不活跃的晶体管。

17.在VLSI设计中，用于描述电路性能的参数______通常用来衡量电路的速度。

18.在数字集成电路中，为了提高电路的抗噪声能力，通常会采用______技术来减少噪声。

19.在版图设计中，为了提高电路的性能，通常会采用______技术来优化晶体管布局。

四、判断题(共5题)

20.CMOS逻辑电路的功耗主要来自于晶体管的开关过程。()

A.正确B.错误

21.在VLSI设计中，逻辑综合是直接将高级抽象的硬件描述转换为版图。()

A.正确B.错误

22.亚阈值摆幅是衡量CMOS晶体管开关速度的重要参数。()

A.正确B.错误

23.在集成电路版图设计中，所有晶体管都应该尽可能放置在版图的边缘。()

A.正确B.错误

24.电源抑制比（PSRR）是衡量电路对电源电压波动的抑制能力的参数。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

25.什么是晶体管的亚阈值摆幅？它对电路性能有什么影响？

26.简述VLSI设计中版图设计的主要步骤。

27.为什么在集成电路设计中，电源去耦是非常重要的？

28.什么是集成电路的功耗模型？它包括哪些主要部分？

29.在数字集成电路中，什么是时序分析？它的主要目的是什么？

《集成电路设计(第2版)》习题答案10-12章

一、单选题(共10题)