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半导体器件仿真：功率器件仿真_12.IGBT仿真.docx

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    12.IGBT仿真

    12.1IGBT概述

    绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是现代功率电子技术中广泛应用的一种复合型功率半导体器件。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和简单驱动特性，以及BJT的大电流和低导通压降特性，使其在高压、大电流、高速开关应用中表现出色。本节将介绍IGBT的基本结构、工作原理以及在仿真中的应用。

    12.1.1IGBT的基本结构

    IGBT的基本结构如图12.1所示，它由一个MOSFET和一个BJT组成。MOSFET作为控制部分，通过栅极电压控制漏极和源极之间的

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