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GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长研究

摘要

本文聚焦于GaN基绿光激光器的MOCVD外延生长展开研究。介绍了GaN基绿光激光器的应用前景与发展现状，详细阐述MOCVD技术用于生长GaN基绿光激光器外延结构的原理及优势。通过优化生长参数，如温度、压强、V/III比例等，以及改进生长过程，包括量子阱结构设计、界面处理等，实现了高质量外延层的生长。深入分析生长过程中面临的挑战，如In组分控制、晶格失配等问题，并提出相应的解决方案。研究成果对于推动GaN基绿光激光器的发展，提高其性能与可靠性具有重要意义。

关键词

GaN基绿光激光器；MOCVD；外延生长；量子阱

一、引言

1.1GaN基绿光激光器的应用前景

GaN基绿光激光器作为一种重要的光电器件，在众多领域展现出了广阔的应用前景。在激光显示领域，绿光激光器是实现高分辨率、高亮度、高色彩饱和度显示的关键部件。其能够提供更纯净、更鲜艳的绿色光源，使得显示画面的色彩更加逼真，为用户带来沉浸式的视觉体验，极大地推动了激光电视、投影仪等显示设备的发展。在生物医学领域，绿光激光器可用于细胞成像、光动力治疗、荧光激发等。由于其波长与生物组织的吸收和散射特性匹配良好，能够实现对生物样本的高分辨率成像和精准治疗，有助于疾病的早期诊断和有效治疗。在水下通信与探测领域，绿光在水中的衰减较小，传播距离远，GaN基绿光激光器可作为水下通信的光源，实现可靠的水下信息传输；同时，在海洋资源探测中，可用于探测水下物体、绘制海底地形图等，为海洋开发提供重要技术支持。此外，在光存储领域，绿光激光器有望提高数据存储密度和读写速度，满足日益增长的大数据存储需求。

1.2GaN基绿光激光器的发展现状

尽管GaN基绿光激光器具有巨大的应用潜力，但其发展仍面临诸多挑战。与成熟的蓝光和红光激光器相比，绿光激光器的性能和可靠性还有待提高。目前，实现高效、稳定的GaN基绿光激光器室温连续激射仍然是研究的热点和难点。在材料生长方面，由于绿光激光器有源层需要高In组分的InGaN材料，而In、Ga、N之间晶格常数和生长条件差异大，导致生长高质量的InGaN多量子阱增益介质困难。高In组分材料在高温下易分解和偏析，有源层晶格失配与应变大，会诱导强压电极化效应，产生量子限制Stark效应（QCSE），引起量子阱能带倾斜，降低激光器增益和辐射复合效率。在器件制备方面，p型掺杂、空穴注入等问题也制约着绿光激光器性能的提升。目前，已报道的GaN基绿光激光器阈值电流密度较高，输出功率和寿命有待进一步提高。因此，深入研究GaN基绿光激光器的外延生长技术，对于突破现有瓶颈，推动其产业化应用具有至关重要的意义。

二、MOCVD技术原理与优势

2.1MOCVD技术原理

金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是在气相外延生长的基础上发展起来的一种重要的薄膜生长技术。在MOCVD生长GaN基材料过程中，通常以三甲基镓（TMGa）、三甲基铟（TMIn）等金属有机化合物作为镓源和铟源，以氨气（NH3）作为氮源。在高温环境下，这些金属有机化合物和反应气体被载气（通常为氢气或氮气）带入反应腔室。在衬底表面，金属有机化合物发生热分解，释放出金属原子（如Ga、In），这些金属原子与NH3分解产生的氮原子发生化学反应，在衬底上进行吸附、成核，并逐渐生长形成GaN基外延层。例如，TMGa在高温下分解为Ga和甲烷（CH4），Ga原子与NH3分解出的N原子结合生成GaN。反应过程可简单表示为：

TMGa→Ga+CH4

Ga+NH3→GaN+3H2

在生长InGaN量子阱时，通过精确控制TMIn和TMGa的流量比例，可以调节In在InGaN中的组分，从而实现对量子阱发光波长的调控。

2.2MOCVD用于GaN基绿光激光器外延生长的优势

MOCVD技术在GaN基绿光激光器外延生长中具有显著优势。首先，MOCVD能够精确控制生长参数，如温度、压强、气体流量等，这对于生长高质量、精确组分和厚度的外延层至关重要。通过精确控制In源和Ga源的流量，可以精准调节InGaN量子阱中In的含量，从而实现对绿光激光器发光波长的精确控制。其次，MOCVD具有较高的生长速率，适合大规模工业化生产。相比其他外延生长技术，如分子束外延（MBE），MOCVD能够在较短时间内生长出较厚的外延层，提高生产效率，降低成本。再者，MOCVD可以在同一反应腔室内进行多层结构的连续生长，有利于制备复杂的激光器外延结构，如包含多量子阱有源层、波导层、限制层等的结构。此外，MOCVD生长的外延层具有较好的均匀