2026年口腔正畸学考试题库附答案(基础题).docxVIP

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2026年口腔正畸学考试题库

第一部分单选题(50题)

1、在制定正畸治疗计划时,对高角病例(下颌平面角大)通常建议?

A.拔除上颌第一前磨牙

B.慎用或避免使用颌间牵引

C.常规使用垂直向控制装置

D.B和C都正确

【答案】:D

2、下列哪种情况通常被认为是正畸治疗的绝对禁忌症?

A.牙周炎活动期

B.轻度牙列拥挤

C.深覆颌

D.开颌

【答案】:A

3、对于骨性III类错颌畸形,其生长改良治疗的最佳时机通常在?

A.乳牙期

B.替牙期

C.恒牙早期

D.成年后

【答案】:B

4、正畸治疗中,牙齿的适宜移动速度约为每月?

A.0.5mm

B.1.0mm

C.1.5mm

D.2.0mm

【答案】:B

5、对于骨性III类错颌畸形,下列哪种头影测量指标通常显著增大?

A.SNA角

B.SNB角

C.ANB角

D.UI-SN角

【答案】:B

6、对于骨性II类错颌伴有上颌前突的患者,在生长期早期可考虑使用?

A.上颌斜面导板

B.FrankelII型矫治器

C.头帽口外弓

D.舌弓

【答案】:C

7、关于方丝弓矫治技术的特点,下列哪项是错误的?

A.使用方丝弓

B.强调差动牙移动

C.需要弓丝弯曲

D.主要使用圆形弓丝

【答案】:D

8、正畸治疗中,关于支抗控制,下列描述正确的是?

A.最大支抗意味着后牙完全不移动

B.最小支抗意味着后牙可以大量前移

C.中度支抗是临床最常见的类型

D.支抗控制与治疗目标无关

【答案】:B

9、正畸治疗中,牙齿移动的生物学基础是?

A.牙周膜受压侧吸收,张力侧增生

B.牙槽骨受压侧增生,张力侧吸收

C.牙骨质受压侧吸收

D.牙髓组织受压侧坏死

【答案】:A

10、安氏错颌分类法是基于什么关系进行分类的?

A.上下颌第一磨牙的咬合关系

B.上下颌尖牙的咬合关系

C.上下颌切牙的覆颌覆盖关系

D.上下颌骨的前后向关系

【答案】:A

11、正畸治疗中,牙齿倾斜移动时,牙周组织产生的压力区和张力区分别是?

A.压力区在牙槽嵴顶,张力区在根尖

B.压力区和张力区在牙根两侧

C.压力区在牙根一侧,张力区在对侧

D.压力区在牙冠,张力区在牙根

【答案】:C

12、关于功能性矫治器,下列描述错误的是?

A.主要用于生长发育期患者

B.通过改变口面肌功能促进颌骨发育

C.主要适用于成人骨性错颌

D.Twin-block是常用的一种

【答案】:C

13、关于正畸治疗中牙周病患者的管理,下列哪项原则是错误的?

A.治疗前必须控制牙周炎症

B.使用轻力,延长复诊间隔

C.可以忽略牙周维护

D.多学科联合治疗

【答案】:C

14、下列哪种情况通常不考虑正畸-正颌联合治疗?

A.严重的骨性III类错颌

B.严重的骨性II类错颌

C.严重的开颌畸形

D.单纯的牙列拥挤

【答案】:D

15、功能性矫治器的主要作用机制是?

A.提供持续的机械力

B.改变口面肌功能,促进颌骨生长改建

C.直接移动牙齿

D.通过口外力抑制上颌生长

【答案】:B

16、关于骨性III类错颌的矫治,下列哪项描述最准确?

A.仅通过正畸治疗即可获得理想效果

B.生长发育期患者可通过功能性矫治器引导下颌后退

C.成年患者必须采用正颌外科手术联合正畸治疗

D.无论年龄大小,均可通过掩饰性正畸治疗获得满意效果

【答案】:C

17、骨性III类错颌畸形,伴有明显的下颌前突和上颌发育不足,最佳治疗时机通常在?

A.乳牙期

B.替牙期

C.青春生长高峰期前

D.生长发育完成后

【答案】:D

18、关于正畸治疗中牙根吸收的预测因素,下列哪项描述最准确?

A.与患者的年龄无关

B.与矫治力的大小和方向无关

C.与牙齿移动的距离和时间有关

D.所有患者的牙根吸收程度相同

【答案】:C

19、骨性II类错颌畸形,其ANB角通常大于多少度?

A.0°

B.2°

C.4.7°

D.8°

【答案】:C

20、在隐形矫治技术中,实现牙齿移动的主要设计策略“附件”的主要作用不包括?

A.增强矫治器固位

B.提供施力点,实现更复杂的牙齿移动(如控根移动)

C.替代颌间牵引

D.作为牙齿移动的旋转中心

【答案】:D

21、关于微种植体支抗(MIA)的应用,下列哪项是错误的?

A.提供绝对支抗

B.适用于骨量不足区域

C.植入部位主要在腭中缝

D.可辅助内收前牙

【答案】:C

22、Angle错颌分类法中,第一类错颌是指?

A.中性错颌

B.远中错颌

C.近中错颌

D.以上都不是

【答案】:A

23、Tweed分析法主要关注哪个平面的测量?

A.矢状平面

B.

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