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30V P通道MOSFET特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-01-14 发布于北京
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30V P通道MOSFET特性与应用.pdf

    P通道30V(D‑S)MOSFET

    特性

    产品概述

    •TrenchFET功率MOSFET

    VDS(V)rDS(on)()ID(A)•100%Rg测试

    -300.0075@VGS‑10V-17应用

    •电池和负载切换‑笔记本电

    脑‑笔记本电池组

    S

    SO-8

    S18D

    G

    S27D

    S36D

    G45D

    顶视图

    D

    订购信息：Si4405DY

    Si4405DY‑T1（带卷带和卷盘）

    P‑通道MOSFET

    绝对最大额定值（除非另有说明，否则为TA=25°C）

    参数符号10秒稳态Unit

    漏源电压VDS-30

    V

    栅源电压VGS20

    TA=25°C-17

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