半导体光刻胶涂布技师（中级）考试试卷及答案.docVIP

半导体光刻胶涂布技师（中级）考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.半导体光刻胶按曝光后溶解性分为______和负性光刻胶。

2.光刻胶涂布最常用的方式是______。

3.旋涂转速的单位通常为______。

4.涂布前硅片常使用______作为粘附促进剂。

5.前烘的主要目的之一是去除光刻胶中的______。

6.旋涂过程分为静态滴胶和______两个阶段。

7.光刻胶厚度均匀性的常见要求是偏差小于______。

8.后烘温度需低于光刻胶的______温度。

9.光刻胶涂布环境的洁净度等级通常为______级。

10.负性光刻胶曝光区域会发生______反应，不溶于显影液。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.正性光刻胶曝光后，曝光区域会（）

A.交联固化B.溶于显影液C.不溶解D.剥离

答案：B

2.旋涂转速与光刻胶厚度的关系是（）

A.转速越高，厚度越厚B.转速越低，厚度越厚C.转速与厚度无关D.转速适中时厚度最厚

答案：B

3.HMDS的主要作用是（）

A.去除硅片杂质B.增强光刻胶与硅片的粘附C.降低胶厚D.提高曝光灵敏度

答案：B

4.前烘时间过长会导致（）

A.溶剂残留过多B.光刻胶粘附不良C.胶厚增加D.显影速度加快

答案：B

5.涂布后硅片应（）进行曝光，避免溶剂挥发影响性能。

A.立即B.24小时内C.12小时内D.48小时内

答案：A

6.下列哪种涂布方式在半导体光刻中不常用？（）

A.旋涂B.浸涂C.喷涂D.辊涂

答案：B

7.测量光刻胶厚度的常用仪器是（）

A.扫描电镜（SEM）B.椭偏仪C.原子力显微镜（AFM）D.分光光度计

答案：B

8.环境湿度过高会导致光刻胶涂布出现（）

A.针孔B.厚度均匀性差C.粘附不良D.以上都是

答案：D

9.负性光刻胶的曝光区域（）

A.溶于显影液B.不溶于显影液C.部分溶解D.随曝光量变化

答案：B

10.涂布机常用的保护气体是（）

A.氧气B.氮气C.氢气D.氩气

答案：B

三、多项选择题（共10题，每题2分，多选或少选均不得分）

1.涂布前硅片处理的步骤包括（）

A.清洗B.脱水烘焙C.HMDS涂覆D.离子注入

答案：ABC

2.影响旋涂光刻胶厚度的因素有（）

A.旋涂转速B.光刻胶粘度C.滴胶量D.硅片尺寸

答案：ABCD

3.前烘的作用包括（）

A.去除溶剂B.提高胶膜强度C.增强粘附D.降低曝光灵敏度

答案：ABC

4.光刻胶涂布常见缺陷有（）

A.针孔B.厚度不均C.条纹D.粘附不良

答案：ABCD

5.洁净室对涂布环境的要求包括（）

A.温度22±2℃B.湿度40±5%C.洁净度100级D.光照强度≥1000lux

答案：ABC

6.HMDS使用注意事项包括（）

A.密封保存B.避免接触水分C.使用后通风D.常温存储

答案：ABC

7.旋涂过程的主要阶段包括（）

A.静态滴胶B.动态旋涂C.后烘D.显影

答案：AB

8.光刻胶的存储条件包括（）

A.2-8℃低温B.避光C.密封D.常温

答案：ABC

9.涂布后需检查的项目包括（）

A.胶厚B.均匀性C.缺陷D.粘附力

答案：ABCD

10.正性光刻胶的组成成分包括（）

A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.交联剂

答案：ABC

四、判断题（共10题，每题2分，正确打√，错误打×）

1.旋涂转速越高，光刻胶厚度越厚。（）

答案：×

2.HMDS是光刻胶涂布的粘附促进剂。（）

答案：√

3.前烘温度越高，胶膜性能越好。（）

答案：×

4.光刻胶涂布环境需达到1000级洁净度。（）

答案：×

5.负性光刻胶曝光区域不溶于显影液。（）

答案：√

6.滴胶量越多，光刻胶厚度一定越厚。（）

答案：×

7.涂布后硅片应立即曝光。（）

答案：√

8.椭偏仪可用于测量光刻胶厚度。（）

答案：√

9.洁净室温度通常控制在25℃。（）

答案：×

10.光刻胶需常温存储。（）

答案：×

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述光刻胶涂布前硅片处理的步骤及目的。

答案：步骤包括：①硅片清洗（去除表面颗粒、有机物及金属杂质，避免缺陷）；②脱水烘焙（150-200℃加热30-60分钟，去除吸附水）；③HMDS涂覆（增强胶与硅片粘附，减少脱胶）。每一步均为提升涂布质量，保证后续工艺稳定性。

2.旋涂过程中影响光刻胶厚度均匀性的主要因素有哪些？

答案：主要因素：①旋涂转速波动；②滴胶位置偏心；③光刻胶粘度不均；④环境温湿度波动（影响溶剂挥发）；⑤硅片平整度差。控制这些因素可提升均匀性。

3.光刻胶涂布常见缺陷（针孔、条纹）的产生原因及解决方法？

答案：针孔原因：环境颗粒、硅片残留、溶剂挥发快；解决：提升洁净度、优化清洗、调整溶剂配比。条纹原因：旋涂加速过快、滴胶量不足、胶粘度高；解决：降低加速率、增加滴胶量、换低粘度胶。