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半导体晶圆减薄技师（初级）考试试卷及答案

试题部分

一、填空题（每题1分，共10分）

1.晶圆减薄的核心目的之一是降低芯片______，提升散热效率。

2.常用晶圆减薄工艺包括机械研磨和______（化学机械抛光）。

3.减薄机中固定晶圆的关键部件是______夹具。

4.常规硅晶圆初始厚度多为______μm（如625或775）。

5.研磨液的作用是润滑、冷却和______碎屑。

6.CMP抛光液的磨粒通常为______（如二氧化硅）。

7.减薄前贴保护膜主要保护晶圆______（正面电路）。

8.机械研磨的主要去除方式是______变形。

9.减薄后需检测的指标包括厚度、______和表面粗糙度。

10.减薄操作需佩戴的防护用品有______和手套。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下不属于机械减薄步骤的是？

A.粗磨B.精磨C.刻蚀D.清洗

2.晶圆减薄夹具真空吸附的核心作用是？

A.固定晶圆B.散热C.供液D.导电

3.研磨盘转速的常用单位是？

A.r/minB.m/sC.kg/hD.℃/min

4.CMP抛光垫的作用不包括？

A.承载晶圆B.保持抛光液C.加热D.均匀压力

5.晶圆边缘崩边的常见原因是？

A.砂轮磨损B.供液过多C.真空不足D.转速过低

6.初级技师无需掌握的操作是？

A.更换砂轮B.调整研磨压力C.编写PLC程序D.清洗设备

7.减薄后晶圆表面粗糙度Ra通常要求小于？

A.1nmB.10nmC.100nmD.1μm

8.减薄砂轮常用磨料是？

A.金刚石B.铜C.塑料D.橡胶

9.机械研磨比CMP的优势是？

A.效率高B.表面质量好C.成本高D.均匀性好

10.减薄前晶圆清洗的目的是？

A.去除污染物B.增加厚度C.导电D.防锈

三、多项选择题（每题2分，共20分）

1.晶圆减薄的应用领域包括？

A.半导体芯片B.LEDC.光伏D.陶瓷

2.减薄工艺关键控制参数有？

A.研磨压力B.转速C.时间D.供液流量

3.机械研磨的优点是？

A.效率高B.成本低C.表面质量优D.均匀性好

4.CMP的优点是？

A.表面粗糙度低B.均匀性好C.效率高D.成本低

5.减薄设备日常维护内容包括？

A.清洁研磨盘B.更换砂轮C.检查真空系统D.校准厚度传感器

6.减薄后检测项目有？

A.厚度B.表面粗糙度C.崩边D.翘曲度

7.减薄安全注意事项包括？

A.戴防护镜B.禁触旋转部件C.清碎屑D.设备接地

8.减薄前准备工作包括？

A.晶圆清洗B.贴保护膜C.设备预热D.检查砂轮

9.研磨液成分包括？

A.磨粒B.水C.防锈剂D.氧化剂

10.减薄缺陷包括？

A.崩边B.划痕C.厚度不均D.翘曲

四、判断题（每题2分，共20分）

1.晶圆减薄仅为降低厚度。（）

2.机械研磨效率高于CMP。（）

3.研磨盘无需定期更换。（）

4.保护膜需贴晶圆背面。（）

5.CMP磨粒多为二氧化硅。（）

6.真空压力越大越好。（）

7.初级技师可独立操作所有设备。（）

8.翘曲度不影响后续工艺。（）

9.研磨液温度不影响减薄效果。（）

10.设备必须接地。（）

五、简答题（每题5分，共20分）

1.简述晶圆减薄的主要目的。

2.机械研磨减薄的基本流程是什么？

3.减薄工艺常见缺陷有哪些？

4.CMP在减薄中的作用是什么？

六、讨论题（每题5分，共10分）

1.晶圆减薄后严重崩边，如何排查处理？

2.如何控制减薄后的厚度均匀性？

答案部分

一、填空题答案

1.热阻/厚度2.CMP/化学机械抛光3.真空4.625（或775）5.去除6.二氧化硅7.正面电路8.塑性9.厚度均匀性10.防护镜

二、单项选择题答案

1.C2.A3.A4.C5.A6.C7.B8.A9.A10.A

三、多项选择题答案

1.ABC2.ABCD3.AB4.AB5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABC10.ABCD

四、判断题答案

1.×2.√3.×4.×5.√6.×7.×8.×9.×10.√

五、简答题答案

1.主要目的：①降低晶圆厚度，满足芯片轻薄化、小型化需求；②减少芯片热阻，提升散热效率；③适配三维封装，提高集成度；④为后续划片、键合提供合适厚度。

2.流程：①晶圆准备（清洗→贴正面保护膜）；②真空装夹；③粗磨（粗砂轮去大部分厚度）；④精磨（细砂轮提表面质量）；⑤清洗（去碎屑和残留液）；⑥检测（厚度、均匀性、粗糙度）。

3.常见缺陷：①边缘崩边（砂轮磨损、压力不均）；②表面划痕（磨粒/碎屑划伤）；③厚度不均（夹具真空、研磨盘磨损）；④翘曲超标（应力不均）；⑤粗糙度差（砂轮粒度粗、供液不足）。

4.CMP作用：①结合化学腐蚀与机械研磨，去除机械研磨损伤层；②降低表面粗糙度（Ra达几nm）；③改善厚度均匀性，减少翘曲；④为后续键合、封装提供高