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硅材料题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

1.硅晶体的理想晶体结构属于哪种类型？请简述其基本特征。

2.硅原子最外层有几个价电子？在形成共价键时，每个硅原子周围通常与多少个邻近硅原子成键？

3.什么是本征硅？其导电性主要受什么因素影响？

二、

4.解释什么是能带理论。简述原子外层电子结构如何影响固体的能带形成。

5.硅的导带底和价带顶分别位于哪个能带？它们之间的能量差（带隙）大约是多少电子伏特（eV）？硅属于直接带隙还是间接带隙半导体？

6.N型半导体和P型半导体是如何通过掺杂形成的？分别简述磷（P）和硼（B）作为掺杂剂在硅中形成N型和P型的原理。

三、

7.简述影响半导体材料本征载流子浓度的主要因素。

8.什么是内建电场？在N型和P型半导体交界的PN结处，内建电场是如何形成的？

9.什么是硅的氧化？工业上常用的热氧化法在什么气氛下进行？生成的二氧化硅（SiO2）薄膜在半导体器件中通常起什么作用？

四、

10.简述西门子法（改良法）制备高纯硅的基本原理和流程。

11.Czochralski（CZ）法是如何生长单晶硅锭的？该方法可能引入哪些类型的晶体缺陷？

12.在半导体器件制造中，什么是离子注入技术？它主要用于实现什么目的？

五、

13.简述硅材料的主要物理性质，如熔点、硬度、热导率和电导率等，并简要说明这些性质与其晶体结构和电子特性有何关联。

14.硅除了用于制造传统的硅基半导体器件外，在新能源领域（如太阳能电池）和传感器领域有哪些重要的应用？

15.什么是多晶硅？它与单晶硅在电学和物理性能上有哪些主要区别？

试卷答案

一、

1.硅晶体的理想晶体结构属于金刚石型（或称面心立方结构与立方晶格点阵复合结构）。其基本特征是每个硅原子与最近的4个硅原子形成正四面体配位，原子间距相等，结构高度对称且稳定。

2.硅原子最外层有4个价电子。在形成共价键时，每个硅原子周围通常与4个邻近硅原子成键，形成稳定的四面体配位结构。

3.本征硅是指未经掺杂的纯净硅。其导电性主要受温度的影响。在绝对零度下本征硅不导电，随着温度升高，价带中的电子获得足够能量跃迁到导带，产生能够导电的电子和空穴，其导电性呈指数增长。

二、

4.能带理论是描述固体中电子运动状态的理论。当大量原子聚集形成固体时，原子间的相互作用导致原子能级发生分裂，形成能带。每个能带允许电子存在的能量范围是连续的。能带的形成与原子外层电子结构密切相关，原子外层电子数越多，形成的能带越宽，能带之间的禁带宽度也越大。满带中的电子不能导电，只有部分未被填满的导带或半满的价带（对于金属）中的电子才能参与导电。

5.硅的导带底位于导带底部，价带顶位于价带顶部。它们之间的能量差（带隙）大约是1.12eV。硅属于间接带隙半导体。在间接带隙材料中，电子从价带跃迁到导带需要“助手”的帮助，即声子（振动能量），这种跃迁的概率较低，因此其光吸收系数远小于直接带隙半导体。

6.N型半导体是通过掺入五价元素（如磷P、砷As、锑Sb）形成的。这些杂质原子有5个价电子，其中4个与周围硅原子形成共价键，多余1个电子很容易在室温下成为自由移动的电子，使电子成为多数载流子，空穴为少数载流子。P型半导体是通过掺入三价元素（如硼B、铝Al、镓Ga）形成的。这些杂质原子只有3个价电子，与周围硅原子形成共价键时会缺少一个电子，形成一个空位（空穴），这个空穴很容易被附近价带中的电子填充，使空穴成为多数载流子，电子为少数载流子。

三、

7.影响半导体材料本征载流子浓度（ni）的主要因素包括温度和材料纯度。温度升高，更多电子获得足够能量跃迁到导带，ni增大；材料纯度越高，杂质浓度越低，对载流子浓度的直接影响较小，但纯度是保证ni按温度规律变化的基础。本征载流子浓度ni可以通过以下公式近似计算：ni=sqrt(Nc*Nv/Eg)，其中Nc和Nv分别是导带和价带的有效态密度，Eg是带隙宽度。

8.内建电场是在PN结空间电荷区产生的电场。在形成PN结时，N区的电子向P区扩散，P区的空穴向N区扩散，导致在PN结界面附近形成一层只有不能移动的离子（N区侧为带负电的受主离子，P区侧为带正电的施主离子）的空间电荷区。由于正负离子电荷的分布不均匀，产生了从N区指向P区的电场，称为内建电场。内建电场阻止多数载流子的进一步扩散，同时使少数载流子（P区的电子和N区的空穴）向对方漂移。

9.硅的氧化是指硅与氧气发生化学反应生成二氧化硅（SiO2）薄膜的过程。工业上常用的热氧化法通常在高温（约900-1200°C）下，以干氧或湿氧气氛进行。生成的二氧化硅（SiO2）薄膜在半导体器件中通常起绝缘层的作用