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半导体封装固晶技师（高级）考试试卷及答案
半导体封装固晶技师（高级）考试试卷及答案
一、填空题（每题1分，共10分）
1.固晶工艺中，常用的键合材料分为______和胶水类两种。
2.固晶机按固晶方式可分为______固晶机和胶水固晶机。
3.固晶精度的常用单位是______（μm或mm）。
4.固晶流程的核心步骤包括：上料、______、固晶、固化（或检查）。
5.芯片固晶前常见减薄厚度范围为______μm（50-150）。
6.固晶胶按固化类型可分为热固化胶、UV固化胶和______固化胶。
7.固晶压力合理范围通常为______（50-200gf）。
8.胶水固晶的固化温度一般在______℃（150-200）左右。
9.固晶对位方式主要有视觉对位和______对位两种。
10.固晶后需检查的核心项目包括：芯片偏移、倾斜、______和空洞。
答案：1.共晶（Eutectic）2.共晶3.μm4.对位5.50-1506.热压7.50-200gf8.150-2009.机械10.键合强度
二、单项选择题（每题2分，共20分）
1.芯片固晶位置偏移允许最大值一般不超过（）？
A.5μmB.10μmC.20μmD.30μm
2.固晶压力过大不会导致的缺陷是（）？
A.芯片破裂B.胶溢出C.芯片倾斜D.键合强度不足
3.Eutectic固晶常用共晶材料是（）？
A.Au-SiB.Ag-CuC.Cu-NiD.Al-Si
4.固晶机视觉系统主要作用是（）？
A.加热芯片B.检测芯片位置C.固化胶水D.调压力
5.固晶胶粘度过高会导致（）？
A.空洞增多B.胶量不足C.芯片偏移D.胶层过厚
6.芯片倾斜主要原因不包括（）？
A.吸嘴磨损B.压力不均C.芯片厚度差D.固化温度高
7.固晶常用保护气体是（）？
A.氧气B.氮气C.氢气D.二氧化碳
8.吸嘴清洁一般每（）小时一次？
A.4B.8C.12D.24
9.固晶精度与以下无关的是（）？
A.视觉分辨率B.吸嘴精度C.固化温度D.对位算法
10.胶量过少会导致（）？
A.空洞多B.键合强度低C.芯片破裂D.胶溢出
答案：1.B2.D3.A4.B5.A6.D7.B8.B9.C10.B
三、多项选择题（每题2分，共20分）
1.固晶关键参数包括（）？
A.固晶压力B.温度C.胶量D.对位精度
2.固晶常见缺陷有（）？
A.芯片偏移B.倾斜C.空洞D.胶溢出
3.固晶胶选择依据包括（）？
A.芯片材料B.封装类型C.固化条件D.成本
4.Eutectic固晶特点有（）？
A.无胶水污染B.键合强度高C.温度低D.适高密度封装
5.固晶机组成部分包括（）？
A.上料单元B.视觉系统C.固晶臂D.固化单元
6.固晶后检查内容有（）？
A.位置偏移B.倾斜角度C.空洞率D.键合强度
7.固晶优化方向包括（）？
A.提精度B.降成本C.提产能D.减缺陷
8.固晶胶固化方式有（）？
A.热固化B.UV固化C.自然固化D.化学固化
9.影响对位精度的因素有（）？
A.视觉误差B.吸嘴定位差C.芯片尺寸偏差D.环境温度
10.故障排查步骤包括（）？
A.观察现象B.查参数C.换部件D.记录日志
答案：1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABD5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABD9.ABCD10.ABD
四、判断题（每题2分，共20分）
1.固晶压力越大，键合强度越高。（）
2.Eutectic固晶不需要胶水。（）
3.固晶精度与视觉分辨率无关。（）
4.芯片偏移不影响后续键合。（）
5.固化温度越高，速度越快越好。（）
6.吸嘴磨损会导致芯片倾斜。（）
7.芯片减薄后强度增加。（）
8.固晶对位只有视觉一种方式。（）
9.空洞率越低越好。（）
10.固晶机维护只需清洁。（）
答案：1.×2.√3.×4.×5.×6.√7.×8.×9.√10.×
五、简答题（每题5分，共20分）
1.简述Eutectic与胶水固晶的区别及应用场景。
答案：Eutectic固晶用共晶合金（如Au-Si）键合，无胶水污染、热导率高，适用于功率/高频器件；胶水固晶用导电/绝缘胶，工艺温度低（150-200℃）、成本低，适用于普通逻辑芯片。共晶设备复杂，胶水兼容性强。
2.芯片倾斜的产生原因及解决方法。
答案：原因：吸嘴磨损、压力不均、芯片厚度差、固晶台平面度差；解决：换磨损吸嘴、调压力均匀、筛选一致芯片、校准固晶台、优化点胶精度，倾斜超1°需重对位。
3.如何优化固晶空洞率？
答案：1.调胶量（避免过少/过多）；2.控固化温度（防气泡膨胀）；3.增压力排气泡；4.真空点胶/延迟固化；5.环境干燥防胶吸潮。
4.固晶机视觉系统原理及维护要点。
答案：原理：CCD采集图像，算法识别芯片位置，控制固晶臂对位；维护：清洁镜
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