WO2025138576A1 相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法 （广州新锐光掩模科技有限公司）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)

WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138576A1

(51)国际专利分类号：

G03F1/26(2012.01)

(21)国际申请号：PCT/CN2024/096213

(22)国际申请日：2024年5月30日(30.05.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311800619.62023年12月25日(25.12.2023)CN

(71)申请人：广州新锐光掩模科技有限公司(NEWRAYMASKTECHNOLOGYCORPORATION)[CN/CN];中国广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号510799(CN)。

(72)发明人：周家华(ZHOU,Jiahua);中国广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号510799(CN)。郑怀志(ZHENG,Huaizhi);中国广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号510799

(CN)。施维(SHI,Wei);中国广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号510799(CN)。甘裕明(GAN,Yuming);中国广东省广州市黄埔区新芯光产业园新芯光一街2号510799(CN)。

(74)代理人：北京清大紫荆知识产权代理有限公司(BEIJINGCHINACERCISIP.CO.,LTD.);中国北京市海淀区中关村东路1号院8号楼9层A906A100084(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,

(54)Title:PREPARATIONMETHODANDAPPARATUSFORPHASE-SHIFTPHOTOMASK,ANDPHOTOLITHOGRAPHYMETHOD

(54)发明名称：相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法

S501Performcriticaldimensionmeasurementona

S501Performcriticaldimensionmeasurementonastructure

obtainedafterafirstetchinglayerisetched

S502Onthebasisofcriticaldimensionmeasurementanalysis,obtainameasurementresult

S503Onthebasisofthemeasurementresult,adjustprocess

parameters,etchasecondetchinglayerandperformcriticaldimensionmeasurement,andobtainatargetphase-shift

photomask

对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测

根据关键尺寸量测分析，获得量测结果

根据量测结果，调节工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版

图5

S501

S503

S502

WO2025/138576A1(57)Abstract:Apreparationmethodandapparatusforaphase-shiftphotomask,andaphotolithographymethod