硅光电倍增管偏置补偿电源电路的设计分析.pdfVIP

 2024年3月25日第41卷第6期TelecomPowerTechnologyMar. 25, 2024, Vol.41 No.6 

DOI：10.19399/j.cnki.tpt.2024.06.004设计应用技术

硅光电倍增管偏置补偿电源电路的设计分析

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葛莉，刘金莲，李昌

（1.河北女子职业技术学院，河北石家庄050091；2.石家庄市艺术学校，河北石家庄050800）

摘要：硅光电倍增管是一种先进的固态光子探测技术，继承了传统光电倍增管（Photomultiplier Tube，PMT）

的高性能特征，并以其独特的架构集成了大量工作在盖革模式下的SPAD，具有显著优势。硅光电倍增管（Silicon

Photomultiplier，SiPM）的工作击穿电压会随着温度变化而出现漂移现象，影响内部增益的稳定性，并对图像重建精

度和能量分辨率等关键性能指标产生不利影响。基于此，研发了一种能够实时适应环境温度变化的动态补偿电路，

实现对SiPM的偏置电压精密调控，有效抑制因温度导致的增益漂移效应，使SiPM器件在不同温度条件下均能保持

偏置电压稳定。

关键词：硅光电倍增管（SiPM）；偏置补偿电源；动态补偿电路

DesignandAnalysisofSiliconPhotomultiplierBiasCompensationPowerSupply

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GELi,LIUJinlian,LIChang

’

(1.HebeiWomensVocationalCollege,Shijiazhuang050091,China；2.ShijiazhuangArtSchool,Shijiazhuang050800,China)

Abstract:SiliconPhotomultiplierTubeisanadvancedsolid-statephotondetectiontechnology,whichinherits

thehighperformancecharacteristicsoftraditionalphotomultipliertube(PMT)andintegratesalargenumberofSPAD

arraysworkinginGeigermodewithitsuniquearchitecture,whichhasobviousadvantages.Thebreakdownvoltageof

SiliconPhotomultiplier(SiPM)willdriftwiththechangeoftemperature,whichwillaffectthestabilityofinternalgain

andadverselyaffectkeyperformanceindexessuchasimagereconstructionaccuracyandenergyresolution.Basedon

this,thispaperdevelopsadynamiccompensationcircuitthatcanadapttothechangeofenvironmentaltemperaturein

realtime,realizesthepreciseregulationofthebiasvoltageofSiPM,effectivelysuppressesthegaindrifteffectcaused