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电子器件仿真：功率器件仿真_（5）.SiC和GaN功率器件仿真.docx

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    SiC和GaN功率器件仿真

    1.引言

    SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件由于其优异的性能，如高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率等，在电力电子领域得到了广泛的应用。这些材料的特性使得SiC和GaN器件在高功率、高温和高频应用中具有显著的优势。因此，对这些器件的仿真研究显得尤为重要。本节将介绍SiC和GaN功率器件的仿真基础，包括材料属性、器件结构和仿真工具的选择。

    2.SiC和GaN材料属性

    2.1高击穿电场

    SiC和GaN材料具有远高于传统硅材料的击穿电场强度。SiC的击穿电场约为3MV/cm，而GaN的击穿电场则高达3.3MV/

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