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电子器件仿真：MOSFET仿真_（3）.MOSFET模型与参数解析.docx

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    MOSFET模型与参数解析

    在上一节中，我们讨论了MOSFET的基本工作原理和结构。本节将深入探讨MOSFET的数学模型和参数解析，以便更好地理解和进行MOSFET的仿真。MOSFET模型是电子器件仿真的核心，它描述了MOSFET在不同工作条件下的行为。我们将从以下几个方面进行详细解析：

    1.基础数学模型

    MOSFET的基础数学模型主要基于其物理结构和工作原理，通过解析方程来描述器件的行为。这些模型包括直流特性、交流特性和瞬态特性。

    1.1直流特性模型

    MOSFET的直流特性模型主要描述漏极电流ID与栅源电压VGS和漏源电压

    Shockle

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