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电子器件仿真：MOSFET仿真_（9）.MOSFET高频特性仿真.docx

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    MOSFET高频特性仿真

    引言

    在上一节中，我们探讨了MOSFET的基本特性和静态仿真方法。本节将继续深入讨论MOSFET的高频特性仿真，包括寄生参数的影响、小信号模型的建立、仿真工具的选择和使用方法。高频特性仿真是理解MOSFET在高频应用中的行为和性能的关键步骤，对于设计高速电路和射频电路尤为重要。

    寄生参数的影响

    MOSFET在高频工作时，寄生参数对器件性能的影响不可忽视。这些寄生参数包括源漏寄生电容（Cds、Cdb、Cdg）、栅极寄生电阻（Rg）、衬底寄生电阻（Rsub）等。寄生参数的存在会导致信号失真、带宽限制和噪声增加等问题。

    源漏寄生电容

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