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富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究

一、研究背景与意义

在光电子技术飞速发展的当下，电致发光器件凭借其低功耗、高亮度、长寿命等优势，在显示、照明、传感等领域展现出广阔的应用前景。传统电致发光材料如有机发光材料、硫化物基无机发光材料等，虽已实现一定规模的产业化应用，但仍存在稳定性差、发光效率低、制备成本高等问题，难以满足日益增长的高性能光电子器件需求。

富硅氮化硅（Si-richSi?N?）薄膜作为一种新型的无机发光材料体系，具有优异的化学稳定性、热稳定性以及良好的光学和电学性能。其内部丰富的硅纳米晶粒或硅团簇能够形成独特的量子限制效应，可实现从紫外到近红外波段的可调谐发光，为开发高性能电致发光器件提供了全新的思路。开展富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件研究，不仅能够突破传统发光材料的技术瓶颈，还能推动光电子器件向更高性能、更低成本、更广泛应用场景发展，具有重要的理论研究价值和实际应用意义。

二、富硅氮化硅薄膜的特性与优势

（一）独特的微观结构与发光机制

富硅氮化硅薄膜的微观结构中，硅含量高于化学计量比的Si?N?，多余的硅原子会在薄膜内部形成尺寸可控的硅纳米晶粒或硅团簇。这些纳米结构会产生显著的量子限制效应，使得电子和空穴在其中的运动受到限制，进而改变材料的能带结构，实现对发光波长的调控。同时，薄膜中的缺陷态（如氮空位、硅悬键等）也会参与发光过程，通过缺陷能级之间的电子跃迁产生发光，丰富了器件的发光机制。

（二）优异的稳定性

相较于有机发光材料，富硅氮化硅薄膜具有极强的化学稳定性和热稳定性。在高温、高湿度以及恶劣化学环境下，薄膜不易发生降解、氧化等现象，能够保证器件长期稳定工作。此外，该薄膜与硅基半导体工艺具有良好的兼容性，可采用成熟的半导体制备技术进行大规模生产，降低了器件的制备成本，为其产业化应用奠定了基础。

三、富硅氮化硅薄膜体系电致发光器件结构设计

为充分发挥富硅氮化硅薄膜的发光性能，本研究设计了一种多层异质结电致发光器件结构，具体如下：

衬底：选用单晶硅片作为衬底，其具有良好的导电性和机械稳定性，且与后续制备的薄膜材料兼容性好，能够有效减少界面应力，提高器件的可靠性。

下电极层：采用溅射工艺在衬底上制备厚度为100-200nm的ITO（氧化铟锡）薄膜作为下电极。ITO具有高透光率（在可见光波段透光率大于90%）和低电阻率（小于10??Ω?cm），能够确保电流均匀注入且不影响器件的发光输出。

电子传输层：在ITO下电极层上制备厚度为50-80nm的ZnO薄膜作为电子传输层。ZnO是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子传输性能，能够有效促进电子从下电极向发光层传输，减少电子在界面处的积累。

发光层：核心发光层为富硅氮化硅薄膜，采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺制备，厚度控制在100-150nm。通过调节PECVD工艺参数（如硅源与氮源的流量比、沉积温度、射频功率等），精确控制薄膜中硅的含量和硅纳米晶粒的尺寸与分布，实现对发光波长和发光强度的调控。

空穴传输层：在发光层上制备厚度为60-90nm的NiO薄膜作为空穴传输层。NiO是一种p型半导体材料，具有良好的空穴传输性能，能够有效促进空穴从上电极向发光层传输，提高电子和空穴在发光层中的复合效率。

上电极层：采用蒸发工艺在空穴传输层上制备厚度为80-120nm的Au薄膜作为上电极。Au具有良好的导电性和化学稳定性，能够确保电流的有效注入，同时其较高的反射率可以将发光层向下发射的光线反射回器件正面，提高器件的出光效率。

四、富硅氮化硅薄膜的制备工艺优化

富硅氮化硅薄膜的制备工艺直接影响其微观结构和发光性能，本研究重点对PECVD工艺进行了优化，具体优化过程如下：

（一）硅源与氮源流量比的优化

选用硅烷（SiH?）作为硅源，氨气（NH?）作为氮源，通过改变SiH?与NH?的流量比来调节薄膜中硅的含量。实验结果表明，当SiH?与NH?的流量比为1:5-1:8时，薄膜中硅纳米晶粒的尺寸均匀（约2-5nm），且分布较为密集，此时薄膜的发光强度最高。若流量比过大，硅含量过高，会导致硅纳米晶粒团聚，形成较大的晶粒，反而降低发光强度；若流量比过小，硅含量过低，则无法形成足够的硅纳米晶粒，难以实现有效的量子限制发光。

（二）沉积温度的优化

沉积温度对薄膜的结晶度和缺陷态密度具有重要影响。在沉积温度为300-400℃时，薄膜的结晶度较高，硅纳米晶粒的形成质量较好，且缺陷态密度较低。当沉积温度低于300℃时，薄膜的结晶度较差，硅原子难以形成规则的纳米晶粒；当沉积温度高于400℃时，薄膜中的原子扩散加剧，容易形成较大的缺陷态，导致发光强度下降。因此，本研究确定最佳沉积温度为