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12英寸相变存储器中相变材料抛光工艺的深度剖析与机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据量呈爆发式增长，对存储技术的要求也日益提高。相变存储器（PhaseChangeMemory，PCM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，因其具备高速读写、低功耗、高集成度、可字节寻址以及与传统CMOS工艺兼容性良好等诸多优势，在众多领域得到了广泛的关注和深入的研究，被视作最有可能替代传统动态随机存取存储器（DRAM）的技术之一，在存储领域展现出广阔的应用前景。

相变存储器的核心在于利用特殊材料，如硫族化合物，在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出的显著导电性差异来实