ZnO_Eu³⁺纳米晶材料的制备、发光性能及影响因素研究.docx

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ZnO:Eu3?纳米晶材料的制备、发光性能及影响因素研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学与光电器件领域,发光材料始终占据着核心地位,其性能的优劣直接关乎光电器件的功能表现与应用拓展。随着科技的飞速发展,人们对发光材料的性能提出了越来越高的要求,寻求具有高效发光性能的新型材料成为了研究的热点。

ZnO作为一种重要的直接宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性质,如宽带隙(3.37eV)、高激子结合能(60meV)、良好的化学稳定性和热稳定性等。这些特性使得ZnO在光电器件领域展现出巨大的应用潜力,例如可用于制作发光二极管、紫外激光器、光电探测器等。然而,纯ZnO的发光性能

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