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电力电子技术试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共10分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.下列电力电子器件中，通常属于电压控制型器件的是（）。

A.晶闸管（SCR）

B.MOSFET

C.IGBT

D.GTO

2.在单相桥式全控整流电路中，若仅有一个晶闸管因触发电路故障而未能导通，则输出电压平均值将变为原来额定值的（）。

A.1/2

B.1/√2

C.1/√3

D.0

3.下列哪一项不是电力电子变换器主电路拓扑的类型？（）

A.电压源型变换器（Buck）

B.电流源型变换器（Boost）

C.交流调压电路

D.直接直流-直流变换器（Cuk）

4.在逆变电路中，用于抑制输出电压谐波、改善波形质量的关键技术是（）。

A.磁链控制

B.矢量控制（Field-OrientedControl,FOC）

C.脉宽调制（PWM）

D.频率调制

5.电力电子器件的开关损耗主要由哪两部分组成？（）

A.导通损耗和关断损耗

B.驱动损耗和散热损耗

C.短路损耗和开路损耗

D.电磁辐射损耗和噪音损耗

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

6.电力电子技术是研究电能的______、______和______的学科。

7.晶闸管（SCR）是一种半导体功率开关器件，其核心特性是具有______特性，即导通后电流由阳极流向阴极，而阻断时能承受反向阳极电压。

8.在三相半波可控整流电路中，若控制角α=π/3，则输出电压的平均值为（2√2/π）*U2*（1+cosα/3）=（2√2/π）*U2*______。

9.逆变器是将直流电能转换为______电能的变换器。

10.PWM控制技术根据控制目标不同，主要分为______PWM和______PWM两种基本方式。

三、判断题（每小题2分，共10分。请将“正确”或“错误”填在题后的括号内）

11.（）IGBT的开关速度比MOSFET慢，但通态电流能力和阻断电压能力通常更强。

12.（）在直流斩波电路中，通过改变开关器件的导通时间占空比，可以改变输出直流电压的平均值。

13.（）单相全波整流电路（带电容滤波）的输出电压平均值约为输入交流电压有效值的0.9倍。

14.（）GTO（门极关断晶闸管）是自关断器件，可以通过施加负门极电压使其关断。

15.（）SPWM（正弦波脉宽调制）技术产生的脉宽是恒定不变的。

四、简答题（每小题5分，共20分）

16.简述MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为开关使用时，从关断状态转换到导通状态的主要过程。

17.简述电压源型Buck变换器（降压变换器）的基本工作原理，并说明其占空比D与输入电压Ui、输出电压Vo之间的关系。

18.简述逆变电路中，为实现输出电压波形整形，采用PWM控制技术的基本思想。

19.简述选择电力电子器件时，需要考虑的主要参数有哪些？（至少列举四项）

五、计算题（每小题10分，共30分）

20.有一单相桥式全控整流电路，交流电源电压为220V（有效值），负载为纯阻性。试计算当控制角α=60°时，流过负载的平均电流IL（AV）和流过每个晶闸管的平均电流IT（AV）。（假设变压器副边电压为U2，且忽略晶闸管导通压降）

21.有一电压源型Boost变换器，输入电压Ui=100V，输出电压Vo=300V，负载电阻RL=50Ω。假设开关器件工作在理想状态（导通压降为零，开关损耗为零，二极管视为理想），试求：（1）开关器件的占空比D；（2）在稳态连续导通模式下，流过开关器件的电流有效值Is（RMS）。

22.有一三相桥式逆变电路，输出电压为120V（线电压有效值），负载为阻感负载（R=10Ω，L=0.1H），工作在50Hz频率下。假设在某个时刻，逆变器的输出电压u0（a）为正弦波，其有效值为120V，且此时开关管S1、S3、S5导通，S4、S6关断（忽略器件导通损耗）。试定性画出该时刻负载电流i0（a）的波形，并简述该时刻电路的工作状态。

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试卷答案

一、选择题

1.B

2.A

3.D

4.C

5.A

二、填空题

6.整流、逆变、变压

7.单向导通

8.2/3

9.交流

10.电压、电流

三、判断题

11.正确

12.正确

13.错误

14.正确

15.错误

四、简答题

16.解析：MOSFET作为开关使用时，当施加在栅极（G）和源极（S）之