中学物理竞赛讲义-12.6物质的导电性.docVIP

12.6物质的导电性

一、金属导电

1、电流强度的微观表达式

在加有电压的一段粗细均匀的导体AD上选取截面C,设导体的横截面积为S.导体每单位体积内的自由电子数为n,每个电子的电荷量为e,电荷的定向移动速率为v

在时间t内,处于相距为vt的两截面B、C间的所有自由电荷将通过截面C.

在时间t内通过导体某截面的电量为:

Q=(vtS)ne

形成的电流为：

I=Q/t=neSv

二、液体导电

1、液体金属导电

与金属导电类似

2、溶液导电

法拉第电解定律（参考黑皮的讲解）

三、气体导电

1、一般情况下,气体不导电.

2、气体导电分自激放电和被激放电.

被激放电是指有其他物质作为电离剂促使空气电离.

自激放电是由于碰撞产生离子,离子在强电场中高速运动,将其它气体分子撞散,产生新的离子,从而发生类似核裂变的连锁反应.

自激放电包括：

(1)辉光放电：空气稀薄,分子间距大,离子动能大,易碰撞产生新的离子.

(2)火花放电：由于电场非常大,离子动能大,易碰撞产生新的离子.

(3)弧光放电：由于温度高,离子动能大,易碰撞产生新的离子.

(4)电晕放电：原理与火花放电类似,也是电场很强.但火花放电是两个带电体之间的,而电晕放电是一个高电压导体表面进行放电,电流较小.

四、半导体

1、半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间.

纯净的半导体经常由硅晶体制成.

半导体通常具有热敏和光敏特性,即温度升高,电阻率减小,光线照射,电阻率减小

2、半导体的掺杂

掺入三价硼,缺少电子,形成空穴.（P型半导体）

掺入五价磷,多余自由电子.（N型半导体）

空穴和自由电子均可导电（载流子）,增强了半导体的导电性.

3、二极管

一个半导体左右掺入不同杂质,一边为P型,另一边为N型.

在中间的结合部会形成“PN结”.

在中间,左右的空穴和自由电子进行复合,从而形成无载流子的“空间电荷区”.因此,可以看成中间变为绝缘体.

在二极管两端加电场：

(1)P连正极,N连负极.左边提供正电荷,右边提供负电荷,使空间电荷区变窄甚至消失.此时二极管处于导通状态

(2)P连负极,N连正极.左边提供负电荷,右边提供正电荷,使空间电荷区变宽.此时二极管处于截止状态

综上所述,二极管具有单向导通性.

4、二极管的伏安特性曲线：

*5、三极管

三极管具有电流放大的作用.

三极管分为PNP和NPN两种.本质相同,仅电流方向不同.

中间的叫基极b,很薄,掺杂浓度低.

一端叫发射极e,掺杂浓度很高.

另一端叫集电极c.

工作原理：

发射极提供大量载流子,很少一部分与基极的异种载流子复合,形成很小的基极电流ib,大部分进入集电极,形成较大电流ic.从而实现了电流放大的作用.

如图所示电路中,二极管D导通时电阻为零,电源内阻不计,电动势分别为ε1＝20V,ε2＝60V.电阻R1＝10kΩ,R2＝20kΩ,R＝5kΩ.试求通过二极管的电流强度.

图11-SEQ图11-\*ARABIC33

【解析】原电路可化为下图所示电路,则由基尔霍夫定律可得:

（1）

（2）

（3）

图11-SEQ图11-\*ARABIC34

（1）式是O点的节点电流方程,（2）式是虚线框中的回路电压方程,（3）式是整个回路的电压方程.解得:

此即通过二极管的电流.

【总结】当电路中含有二极管时,可先将其去掉,若求得的通过二极管的电流与二极管方向一致,则可不考虑二极管的存在对电路的影响；否则,电流为0（即反向截止）.另外,本题也可求虚线框部分的等势电压源的方法求解,过程如下：

根据等效电压源定理,a、b两点间电压为:

a、b两端的总电阻力:

(a)(b)

图11-SEQ图11-\*ARABIC35

由此,REF_Ref186341393\h图11-35(a)可等效为REF_Ref186341393\h图11-35(b),二极管导通,流过二极管的电流为:

.

在如REF_Ref186341298\h图11-36(a)所示电路中,两电容器电容C1=C2=C.两个二极管D1、D2皆为理想二极管（正向电阻为零,反向电阻无穷大）,当电源输入电压如REF_Ref186341298\h图11-36(b)所示的稳定方波时,试分别画出达到稳定状态后L点的电势UL和M点的电势UM随时间的变化图像.

Mab

M

a

b

D1

D2

L

(a)(b)

图11-SEQ图11-\*ARABIC36

【解析】二极管