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Infineon 英飞凌 IHM-B模块 FZ1200R45HL3_S7 数据手册.pdf

Infineon 英飞凌 IHM-B模块 FZ1200R45HL3_S7 数据手册.pdf

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    FZ1200R45HL3_S7

    IHM-B模块

    IHM-B模块采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=4500V

    -ICnom=1200A/ICRM=2400A

    -高直流电压稳定性

    -高短路能力

    -高动态稳定性

    -低VCEsat

    -沟槽栅IGBT3

    -VCEsat带正温度系数

    •机械特性

    -碳化硅铝(AlSiC)基板提供更高的温度循环能力

    -封装的CTI600

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