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Infineon英飞凌 IGBT模块和二极管 FZ825R33HE4D IHM-B模块 说明书.pdf

Infineon英飞凌 IGBT模块和二极管 FZ825R33HE4D IHM-B模块 说明书.pdf

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    FZ825R33HE4D

    IHM-B模块

    IHM-B模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=3300V

    -ICnom=825A/ICRM=1650A

    -低Qg和Cres

    -高直流电压稳定性

    -高短路能力

    -低开关损耗

    -低VCEsat

    -T=150°C

    vjop

    -沟槽栅IGBT4

    -无与伦比的坚固性

    -VCEsat带正温度系数

    -

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