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微细加工技术试题库及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不属于光刻技术中的光刻胶类型？（）

A.正性光刻胶B.负性光刻胶C.中性光刻胶

答案：C

2.电子束加工的基本原理是利用（）。

A.电子的热效应B.电子的电离效应C.电子的撞击效应

答案：C

3.微细加工中常用的刻蚀方法不包括（）。

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.激光刻蚀

答案：C

4.光刻的分辨率主要取决于（）。

A.光刻胶厚度B.曝光光源波长C.显影时间

答案：B

5.以下哪种技术适合制作高深宽比结构？（）

A.光刻B.刻蚀C.LIGA技术

答案：C

6.聚焦离子束加工利用的是（）。

A.离子束B.电子束C.激光束

答案：A

7.化学机械抛光主要用于（）。

A.表面平整化B.材料去除C.图案转移

答案：A

8.微机电系统（MEMS）的核心技术是（）。

A.微细加工技术B.封装技术C.测试技术

答案：A

9.光刻中用于图形转移的掩膜版通常是（）。

A.玻璃版B.金属版C.塑料版

答案：A

10.以下哪种不属于微细加工的特点？（）

A.高精度B.大尺寸C.高集成度

答案：B

多项选择题（每题2分，共10题）

1.光刻技术的主要步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.蚀刻

答案：ABC

2.电子束加工的优点有（）

A.加工精度高B.可加工材料范围广C.加工效率高D.无热影响区

答案：AB

3.常用的干法刻蚀技术有（）

A.等离子体刻蚀B.反应离子刻蚀C.溅射刻蚀D.化学刻蚀

答案：ABC

4.微纳加工中常用的材料有（）

A.硅B.玻璃C.金属D.高分子材料

答案：ABCD

5.光刻胶的性能要求包括（）

A.分辨率高B.附着力强C.抗刻蚀能力强D.成本低

答案：ABC

6.LIGA技术的主要工艺步骤有（）

A.深层同步辐射光刻B.电铸成型C.塑铸成型D.光刻胶涂覆

答案：ABC

7.化学机械抛光的作用包括（）

A.去除表面损伤层B.降低表面粗糙度C.实现全局平坦化D.改变材料特性

答案：ABC

8.聚焦离子束加工可以用于（）

A.微纳结构制造B.电路修复C.材料分析D.表面改性

答案：ABCD

9.微机电系统（MEMS）包含的部分有（）

A.微传感器B.微执行器C.信号处理电路D.封装结构

答案：ABCD

10.影响光刻分辨率的因素有（）

A.光源波长B.光刻胶性能C.掩膜版质量D.环境温度

答案：ABC

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻技术只能用于制作二维图案。（）

答案：错

2.电子束加工过程中不会产生加工变形。（）

答案：错

3.湿法刻蚀比干法刻蚀的刻蚀精度更高。（）

答案：错

4.光刻胶的曝光时间越长越好。（）

答案：错

5.LIGA技术可以制作任意形状的三维微结构。（）

答案：错

6.聚焦离子束加工只能对导电材料进行加工。（）

答案：错

7.化学机械抛光会使材料表面产生划痕。（）

答案：错

8.微机电系统（MEMS）都是基于硅材料制作的。（）

答案：错

9.掩膜版的质量对光刻效果没有影响。（）

答案：错

10.微细加工技术可以实现纳米级别的加工精度。（）

答案：对

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻技术的基本原理。

答案：光刻技术是通过光刻胶将掩膜版上的图案转移到基片上。先在基片涂光刻胶，经曝光使光刻胶发生光化学反应，再通过显影去除溶解的光刻胶部分，从而在基片上留下与掩膜版对应的图案。

2.电子束加工有哪些局限性？

答案：设备昂贵，加工成本高；加工效率相对较低，不适用于大规模批量生产；对工作环境要求高，需在真空环境中进行，且易受电磁场干扰。

3.说明湿法刻蚀和干法刻蚀的主要区别。

答案：湿法刻蚀用化学溶液腐蚀材料，选择性好，但精度低，可能有钻蚀现象；干法刻蚀利用气体等离子体刻蚀，精度高，能实现高深宽比结构，但设备复杂，成本较高。

4.简述微机电系统（MEMS）的应用领域。

答案：广泛应用于汽车领域，如传感器；医疗领域，如微型医疗器械；航空航天领域，如微型导航设备；消费电子领域，如加速度计用于手机等。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻技术未来发展方向。