非极性与半极性GaN：生长机制、特性解析与应用展望.docx

非极性与半极性GaN：生长机制、特性解析与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理特性，如宽带隙（约3.4eV）、高击穿电场（~3.0MV/cm）、高电子迁移率（1000cm2/V?s）和低导通电阻，已然成为新一代宽带隙半导体的杰出代表，在现代科技发展进程中占据着举足轻重的地位。随着5G通信、新能源汽车、数据中心等前沿领域的迅猛发展，对高性能半导体材料的需求呈现出爆发式增长，GaN因其独特优势，被视作推动这些领域技术突破和产业升级的核心力量，在众多关键器件中发挥着不可或缺的作用。

在光电子器件领域，GaN基发光二极