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Infineon Infineon Technologies 模块 FZ1000R65KE4 说明书用户手册.pdf

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    FZ1000R65KE4

    高绝缘等级模块

    Finaldatasheet

    高绝缘等级模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和第四代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=6500V

    -ICnom=1000A/ICRM=2000A

    -低VCEsat

    •机械特性

    -扩大存储温度范围至Tstg=-55°C

    -加强绝缘封装，10.4kV交流60秒

    -高爬电距离和电气间隙

    -封装的CTI600

    -碳化硅铝(AlS

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