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FF4000UXTR33T2M1
XHP™2模块
Finaldatasheet
XHP™2模块采用CoolSiC™TrenchMOSFET
特性
•电气特性
-VDSS=3300V
-IDN=500A/IDRM=1000A
-T=175°C
vjop
-低开关损耗
-高电流密度
-低电感设计
•机械特性
-高功率密度
-封装的CTI600
-高爬电距离和电气间隙
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