CN114975702B 一种红光Micro LED外延结构及其制作方法 （厦门未来显示技术研究院有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114975702B

(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202210761948.3

(22)申请日2022.06.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114975702A

(43)申请公布日2022.08.30

(73)专利权人厦门未来显示技术研究院有限公

司

地址361006福建省厦门市火炬高新区火

炬园火炬路56-58号火炬广场南楼

420-10

(72)发明人万志王莎莎史成丹卓祥景

程伟柯志杰艾国齐

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

(51)Int.CI.

H10H20/812(2025.01)

H10H20/825(2025.01)

H10H20/815(2025.01)

H10H20/01(2025.01)

(56)对比文件

CN108292693A,2018.07.17

CN111916538A,2020.11.10

审查员陈袁园

专利代理师王娇娇

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

一种红光MicroLED外延结构及其制作方法

2118

21

18

5

接触层

20

-19

182

181-

17

153

152

151-

P-GaN层

U-GaN层

P-InGaN层

LQB层

蓝光阱

红光阱

绿光阱

绿光阱

蓝光阱

蓝光阱

N-GaN层

U-AlGaN层

缓冲层

未掺杂AIN低温成核层

衬底

1413213311211本申请公开了一种红光MicroLED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P-GaN层以及接触层；其中，所述多量子阱结构由多个蓝光阱、绿光阱和红光阱构成，且在所述电流扩展层与所述空穴注入层之间，所述多量子阱结构采用In组分渐变的生长方式，并在所述红光阱的生长初期，引入脉冲通Al方式，通过前期3D生长，预置应力，增加In的并入，从而提高所述红光阱的

14

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13

31

12

11

CN

CN114975702B

CN114975702B权利要求书1/2页

2

1.一种红光MicroLED外延结构，其特征在于，包括：

衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P-GaN层以及接触层；

其中，所述多量子阱结构由多个蓝光阱、绿光阱和红光阱构成，且在所述电流扩展层到所述空穴注入层之间，所述多量子阱结构采用In组分渐变的生长方式，并在所述红光阱的生长初期，引入脉冲通A1方式，通过前期3D生长，预置应力，增加In的并入，从而提高所述红光阱的生长温度，改善所述红光阱的晶体质量。

2.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述电流扩展层包括多层交替生长的U-AlGaN层和N-GaN层，生长周期为10-20周期；

所述U-AlGaN层的厚度为10-20nm;

所述N-GaN层的厚度为5-10nm,掺杂Si浓度为5-10x101cm?3。

3.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述蓝光阱包括多层交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层，生长周期为N,N为2-4周期；

所述蓝光阱的禁带宽度为2.5-2.8eV。

4.根据权利要求3所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述第一量子垒层为GaN-AlGa1-xN-GaN层，所述第一量子阱层为InGaN层；

所述第一量子垒层的厚度为15-20nm,所述第一量子阱层的厚度为2-4nm。

5.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述绿光阱包括多层交替生长的第二量子垒层和第二量子阱层，生长周期为N,N为2-4周期；

所述绿光阱的禁带宽度为2.1-2.5eV。

6.根据权利要求5所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述第二量子垒层为GaN-AlGa1-xN-GaN层，所述第二量子阱层为InGaN层；

所述第二量子垒层的厚度为15-20nm,所述第二量子阱层的厚度为2-4nm。

7.根据权利要求1所述的红光MicroLED外延结构，其特征在于，所述红光阱