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英飞凌Infineon IGBT模块 FZ1200R33HE3 技术说明书.pdf

英飞凌Infineon IGBT模块 FZ1200R33HE3 技术说明书.pdf

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    FZ1200R33HE3

    IHM-B模块

    IHM-B模块采用第三代高速沟槽栅/场终止IGBT和第三代发射极控制二极管

    特性

    •电气特性

    -VCES=3300V

    -ICnom=1200A/ICRM=2400A

    -无与伦比的坚固性

    -高直流电压稳定性

    -高短路能力

    -低开关损耗

    -低VCEsat

    -T=150°C

    vjop

    -VCEsat带正温度系数

    •机械特性

    -碳化硅铝(AlSiC

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