2025年大学大四（微电子科学与工程）微电子器件基础阶段测试题及答案.docVIP

2025年大学大四（微电子科学与工程）微电子器件基础阶段测试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。(总共20题，每题2分，每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内)

w1.以下哪种半导体器件的工作原理基于电子和空穴的复合？（）。

A.二极管B.三极管C.发光二极管D.场效应管

w2.对于N型半导体，其多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.中子

w3.半导体的导电能力介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.超导体和绝缘体D.半导体和超导体

w4.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄

w5.二极管的反向电流随温度升高而（）。

A.减小B.不变C.增大D.先减小后增大

w6.三极管处于放大状态时，其发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

w7.三极管的电流放大倍数β是指（）。

A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/IbD.Ib/Ie

w8.场效应管的控制方式是（）。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

w9.绝缘栅型场效应管的输入电阻（）。

A.较小B.很大C.为零D.不确定

w10.以下哪种半导体器件常用于数字电路中的开关元件？（）。

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

w11.半导体中杂质的作用是（）。

A.提高导电能力B.降低导电能力C.不影响导电能力D.改变半导体类型

w12.当温度升高时，半导体的本征载流子浓度（）。

A.减小B.不变C.增大D.先减小后增大

w13.对于PN结，其内建电场的方向是（）。

A.从P区指向N区B.从N区指向P区C.与外加电压方向相同D.不确定

w14.二极管的正向导通压降一般为（）。

A.0.1V-0.3VB.0.5V-0.7VC.1V-3VD.3V-5V

w15.三极管的输出特性曲线可分为（）三个区域。

A.放大区、饱和区、截止区B.放大区、线性区、非线性区C.导通区、截止区、击穿区D.饱和区、截止区、击穿区

w16.场效应管可分为（）两大类。

A.结型场效应管和绝缘栅型场效应管B.N沟道场效应管和P沟道场效应管C.增强型场效应管和耗尽型场效应管D.单栅场效应管和多栅场效应管

w17.半导体的光电效应包括（）。

A.外光电效应和内光电效应B.光电发射效应和光生伏特效应C.光电导效应和光生伏特效应D.以上都是

w18.发光二极管发出的光的颜色取决于（）。

A.半导体材料B.掺杂浓度C.外加电压D.工作温度

w19.晶闸管的导通条件是（）加上正向电压且门极有触发电流。

A.阳极B.阴极C.控制极D.以上都不对

w20.半导体器件的性能参数中，反映器件对温度敏感程度的是（）。

A.击穿电压B.反向电流C.电流放大倍数D.温度系数

第II卷（非选择题，共60分）

w21.（10分）简述PN结的形成过程。

w22.（1０分）说明二极管的单向导电性原理。

w23.（10分）分析三极管处于放大状态时的内部载流子传输过程。

w24.（15分）材料：在某电子电路中，需要一个能够实现信号放大功能的元件。已知该电路的电源电压为5V，输入信号为微弱的交流信号，频率范围在1kHz-10kHz之间。现有一个三极管，其参数为β=50，Iceo=10μA。要求设计一个共发射极放大电路，使输出信号的幅度能够满足电路的后续需求。

问题：请画出该共发射极放大电路的原理图，并计算该电路的静态工作点（包括Ib、Ic、Uce）。

w25.（15分）材料：有一个场效应管组成的放大电路，已知该场效应管为N沟道增强型绝缘栅场效应管，其开启电压Ugs(th)=2V，跨导gm=2mS。电路的电源电压Vdd=10V，负载电阻RL=10kΩ。输入信号为一个幅度较小的交流电压信号。

问题：请画出该场效应管放大电路的原理图，并计算该电路的电压放大倍数Av。