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ZnO外延层结构与性质演变及其内在机制的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电子器件领域对于高性能半导体材料的需求日益迫切。ZnO外延层作为一种关键的半导体材料，凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，在光电子学、传感器技术、能源存储与转换等众多领域展现出了不可替代的重要作用，成为了当前材料科学与工程领域的研究热点之一。

在光电子器件中，ZnO外延层的应用尤为突出。其具有宽禁带宽度（室温下约为3.37eV）和高激子结合能（约为60meV），这使得它在紫外光发射和探测方面具有巨大的潜力。例如，基于ZnO外延层制备的紫外发光二极管（UV-LED），可