SOI基新型LDMOS高压器件研究.docxVIP

SOI基新型LDMOS高压器件研究

1.引言

在现代电子技术飞速发展的背景下，高压功率器件在众多领域如电力电子、汽车电子、航空航天等发挥着举足轻重的作用。横向双重扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管凭借其独特优势，在高压集成电路中得到了极为广泛的应用。随着科技的持续进步，对高压功率器件的性能提出了更为严苛的要求，包括更高的击穿电压、更低的导通电阻、更强的散热能力以及更好的集成度等。绝缘体上硅（SOI）材料因其出色的器件隔离性、抗辐照性以及低寄生效应等特性，成为实现高性能高压器件的理想选择。基于SOI基的新型LDMOS高压器件的研究，已成为该领域的关键研究方向之一。

2.SOI基LDMOS高压器件的研究背景与现状

2.1SOI材料的优势

SOI材料在高压器件应用中展现出诸多显著优势。良好的器件隔离性使得不同器件之间的相互干扰大幅降低，从而提升了整个电路系统的稳定性和可靠性。其抗辐照性能尤为突出，在诸如航空航天、核工业等辐射环境较为恶劣的领域具有不可替代的应用价值。此外，SOI材料极低的寄生效应能够有效减少信号传输过程中的损耗和延迟，提高器件的工作频率和效率。这些优势为SOI基高压器件的发展奠定了坚实基础。

2.2LDMOS器件的应用与发展需求

LDMOS作为高压集成电路中的核心器件，广泛应用于功率放大器、电源管理、电机驱动等多个领域。在功率放大器中，LDMOS能够高效地将输入的低功率信号转换为高功率输出，满足通信基站、雷达等设备对大功率信号的需求。在电源管理方面，其能够实现对电压的精准调节和控制，确保各类电子设备稳定运行。随着科技的不断发展，如5G通信技术的普及、新能源汽车产业的崛起，对LDMOS器件的性能提出了更高要求。例如，在5G通信基站中，需要LDMOS器件具备更高的功率密度和线性度，以满足大规模数据传输的需求；在新能源汽车的电机驱动系统中，则要求器件具有更高的耐压能力和更低的导通电阻，以提高能源利用效率和车辆续航里程。因此，不断研发新型LDMOS高压器件以满足这些日益增长的需求成为当务之急。

2.3国内外研究现状分析

国内外众多科研团队和机构在SOI基LDMOS高压器件领域展开了深入研究，并取得了一系列重要成果。在国外，一些知名高校和企业如斯坦福大学、英飞凌科技公司等，通过不断创新器件结构和优化工艺，成功研发出多种高性能SOI基LDMOS器件。例如，斯坦福大学的研究团队提出了一种基于部分复合埋层结构的横向变RESURF技术高压SOILDMOS器件，通过调制横向电场，有效提高了横向耐压，同时增加优化的漂移区浓度，降低了比导通电阻，并通过复合埋层中较薄的埋氧层及高热导率的多晶硅加速热量传递，缓解了自热效应。英飞凌科技公司则在器件的产业化应用方面取得了显著进展，其生产的SOI基LDMOS器件在市场上具有较高的占有率和良好的口碑。

在国内，清华大学、重庆大学等高校以及一些科研院所也在积极开展相关研究。重庆大学承担的关于基于部分复合埋层结构的横向变RESURF技术高压SOILDMOS器件研究项目，在新器件结构设计和耐压模型建立方面取得了重要突破。清华大学的研究团队则致力于将新型SOI基LDMOS器件应用于高压驱动集成电路，通过优化电路设计和器件集成工艺，提高了整个系统的性能和可靠性。尽管国内外在该领域已经取得了一定成果，但仍面临诸多挑战，如如何进一步提高器件的击穿电压、降低比导通电阻以及缓解自热效应等，这些问题亟待深入研究和解决。

3.SOI基新型LDMOS高压器件的关键技术

3.1RESURF技术原理与应用

RESURF（ReducedSurfaceField）技术，即降低表面电场技术，是提高LDMOS器件击穿电压的关键技术之一。其基本原理是通过在漂移区引入适当的电荷分布，使电场在漂移区表面和体内更加均匀地分布，从而避免电场集中在某一区域导致过早击穿。在SOI基LDMOS器件中，RESURF技术的应用尤为重要。例如，通过在漂移区注入特定浓度和分布的杂质，形成与传统结构不同的电场分布，可有效提高器件的击穿电压。在一些高压应用场景中，如高压电源转换电路，采用RESURF技术的SOI基LDMOS器件能够承受更高的电压，保障电路的稳定运行。然而，RESURF技术在实际应用中也面临一些挑战，如如何精确控制漂移区的电荷分布以实现最佳的电场调制效果，以及如何在提高击穿电压的同时，避免对器件其他性能如导通电阻产生不利影响。

3.2新型器件结构设计

为了满足不断提高的性能要求，研究人员提出了多种新型SOI基LDMOS器件结构。一种具有复合埋层的SOILDMOS器件结构