南京工业大学模拟电子技术综合复习题(有答案).docxVIP

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一、选择题 1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导 体。 A.二B.三C.四D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P 型半导体。 A.二B.三C.四D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。 A.大于B.等于C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。 A.大于B.等于C.小于 5、本征半导体温度升高此后，C。 自由电子增多，空穴数基本不变 空穴数增多，自由电子数基本不变 自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 自由电子数和空穴数都不变 6 、空间电荷区是由 C 组成的。 A.电子 B. 空穴 C. 离子 D. 分子 7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽D. 无法 确定 8 、设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISe U B. I eUUT C. I(eUUT－1) D. I S S S 9 、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应 为B。 前者反偏、后者也反偏 前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 前者反偏、后者正偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将  A  。 A.  增大  B.  不变  C.  减小  D.  都有 可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当  I  B从  12μ  A增大到  22 μA时，  IC从  1mA  变为  2mA  ，那么它的  β约为  C  。 A.83  B.91  C.100  D.10 13、就地效应管的漏极直流电流  I  D从  2mA  变为  4mA  时，它的 低频跨导  gm将  A  。 A.增大  B.  不变  C.  减小  D.  都有 可能 14、晶体管是  A  器件。 A.电流控制电流  B.  电流控制电压  C.  电压控制电 压  D.  电压控制电流 、实践中，鉴别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 。 A.IBB.ICC.UBED.UCE 、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位 如下图，试判断管子的种类和材料。图为A。[基极电位老是处于中间  ]  1为  D  ；图  2 ②  0V  ②  9V ①  6V  ①  3V ③  5.7V  ③  2.3V 图  1  图  2 A.NPN  硅管  B.PNP  硅管  C.NPN  锗管  D.PNP 锗管 17、增强型  PMOS  管工作在放大状态时，其栅源电压  B  ， 耗尽型  PMOS  管工作在放大状态时，其栅源电压  D  。 A.只能为正B.只能为负C.可正可负D. 可正可负，也可为零 18 、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C. 饱和区 D.击穿区 19 、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。 A.夹断电压 UGS(off) B. 低频跨导 gm C. 饱和漏极电流 IDSSD.开启电压 UGS(th) 20 、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B. 电流控制电压 C. 电压控制 电压D.电压控制电流 21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防备输入 信号短路 把基极电流的变化转变为输入电压的变化 保护信号源D.防备输出电压被短路 22 、基本共射放大电路中，集电极电阻 Rc的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B. 将输出电流的变化量转 化为输出电压的变化量 C.防备信号源被短路 D. 保护直流电压源 EC 23 、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出 UCE≈0， 可能是因为A。 A.Rb短路B.Rb开路C.Rc短路D.β过小 、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器察看 输出电压 uo和晶体管集电极电压 uc 的波形， 二者相位 A 。 A.相同 B. 相反 C. 相差 90° D. 相差 270° 25 、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真， 通 过减小 Rb失真除去，这种失真一定是 B 失真。 A.饱和 B. 截止 C. 双向 D. 相位 26 、分压式偏置工作点稳定电路，当 β＝50 时， IB=20 μA， I  C=1mA  。若只改换  β  ＝  100  的晶体管，而其他参数不变，则 I  B和  I  C分别是  A  。 A.1